[发明专利]用于金属及金属氧化物膜的蚀刻的方法

权利要求书

1.一种从包括含金属层与氧化硅层的基板选择性地蚀刻含金属膜的方法，所述方法包括以下步骤：

使含氟气体流动到基板处理腔室的等离子体产生区域内；

施加能量到所述含氟气体，以在所述等离子体产生区域中产生等离子体，所述等离子体包括氟自由基与氟离子；

过滤所述等离子体，以提供具有比氟离子更高浓度的氟自由基的反应性气体；

使所述反应性气体流动到所述基板处理腔室的气体反应区域内；及

使所述基板暴露于所述基板处理腔室的所述气体反应区域中的所述反应性气体，其中相较于所述反应性气体蚀刻所述氧化硅层而言，所述反应性气体以更高的蚀刻速率来蚀刻所述含金属层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体包括NF₃。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属层包括钨。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属层包括铪。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述反应性气体实质上不含有氟离子。

6.如权利要求1所述的方法，其中使用设置在所述基板处理腔室的所述等离子体产生区域与所述气体反应区域之间的离子抑制件来过滤所述等离子体，所述离子抑制件包括多个通道，所述多个通道容许氟自由基在所述等离子体产生区域与所述气体反应区域之间的通过。

7.一种提供比介电膜蚀刻速率更高的含金属膜蚀刻速率的蚀刻工艺，所述工艺包括以下步骤：

由含氟气体产生等离子体，所述等离子体包括氟自由基与氟离子；

从所述等离子体移除一部分的所述氟离子，以提供具有比氟离子更高浓度的氟自由基的反应性气体；

使包括含金属层与介电层的基板暴露于所述反应性气体，其中相较于所述反应性气体蚀刻所述介电层而言，所述反应性气体以更高的蚀刻速率来蚀刻所述含金属层。

8.如权利要求7所述的蚀刻工艺，其中所述含氟气体包括NF₃。

9.如权利要求7所述的蚀刻工艺，其中所述含氟气体包括He或Ar的至少一者。

10.如权利要求7所述的蚀刻工艺，其中所述含金属层包括钨。

11.如权利要求7所述的蚀刻工艺，其中所述含金属层包括铪。

12.如权利要求7所述的蚀刻工艺，其中所述反应性气体实质上不含有氟离子。

13.如权利要求7所述的蚀刻工艺，其中使用离子抑制件从所述等离子体移除所述部分的所述氟离子，所述离子抑制件包括多个通道，所述多个通道容许氟自由基的通过与氟离子的抑制。

14.如权利要求7所述的蚀刻工艺，其中所述介电层包括氧化硅。

15.如权利要求7所述的蚀刻工艺，其中所述介电层包括氮化硅。