[发明专利]非活跃的哑像素无效
申请号: | 201280013291.7 | 申请日: | 2012-03-13 |
公开(公告)号: | CN103430079A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | K·阿弗拉托尼;F·帕拉哈米;S·甘蒂 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G02B26/00 | 分类号: | G02B26/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 周敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 活跃 像素 | ||
1.一种装置,包括:
布线区域;
包括多个活跃子像素的活跃子像素阵列;
阵列驱动器;以及
边缘子像素阵列,其包括配置成提供所述布线区域与所述活跃子像素阵列之间的电连通性的多个边缘子像素,所述边缘子像素和所述活跃子像素中的每一个包括第一导电层和第二导电反射层,所述边缘子像素的所述第一导电层中形成有开口,所述开口足够大以在所述阵列驱动器经由所述边缘子像素向所述活跃子像素阵列施加活跃子像素致动电压时防止所述边缘子像素致动。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述开口使得所述边缘子像素具有比所述活跃子像素致动电压高的边缘子像素致动电压。
3.如权利要求1或权利要求2所述的装置,其特征在于,所述开口允许环境光直接从所述边缘子像素的所述第二导电反射层反射并从所述边缘子像素显现出来。
4.如权利要求1-3中任一项所述的装置,其特征在于,所述开口使得所述边缘子像素具有与所述布线区域的反射率基本相似的反射率。
5.如权利要求1-4中任一项所述的装置,其特征在于,进一步包括:
显示器;
配置成与所述显示器通信的处理器,所述处理器被配置成处理图像数据;以及
配置成与所述处理器通信的存储器设备。
6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,进一步包括:
驱动器电路,其配置成将至少一个信号发送给所述显示器;以及
控制器,其被配置成向所述驱动器电路发送所述图像数据的至少一部分。
7.如权利要求5或权利要求6所述的装置,其特征在于,进一步包括:
配置成向所述处理器发送所述图像数据的图像源模块,其中所述图像源模块包括接收机、收发机、和发射机中的至少一者。
8.如权利要求5-7中任一项所述的装置,其特征在于,进一步包括:
输入设备,其配置成接收输入数据并将所述输入数据传达给所述处理器。
9.一种方法,包括:
在基板上方形成光学堆叠,所述光学堆叠包括第一导电层;
在所述光学堆叠上或在所述基板上形成多个支承结构;
在所述支承结构上形成第二导电反射层;
形成包括所述第一导电层、所述支承结构和所述第二导电反射层的活跃子像素阵列,从而在向所述活跃子像素施加活跃子像素致动电压时,所述第二导电反射层能在第一位置与第二位置之间移动;
在所述活跃子像素阵列之外形成布线区域;以及
形成包括边缘子像素的行和列的边缘子像素阵列,所述边缘子像素被配置成提供所述布线区域与所述活跃子像素之间的电连通性,所述边缘子像素中的每一个包括所述第一导电层、所述第二导电反射层和所述支承结构,所述边缘子像素进一步在所述第一导电层中包括开口,所述开口足够大以在向所述活跃子像素施加所述致动电压时防止所述边缘子像素致动。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,形成所述边缘子像素阵列的过程包括:在每个边缘子像素中形成开口。
11.如权利要求9或权利要求10所述的方法,其特征在于,形成所述边缘子像素阵列的过程包括:形成所述开口以防止所述边缘子像素调制入射光。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述布线区域具有布线区域反射率,并且其中形成所述边缘子像素阵列的过程包括:形成所述开口以使所述边缘子像素区域反射率与所述布线区域反射率基本匹配。
13.一种其上编码有软件的非瞬态介质,所述软件包括用于控制至少一个设备执行以下操作的指令:
接收指示用于活跃子像素阵列的致动电压的数据;以及
确定包括第一导电层和第二导电层的多个边缘子像素的所述第一导电层中的开口的大小,所述边缘子像素被配置用于与所述活跃子像素的电连通性,其中所述确定包括确定在经由所述边缘子像素向所述活跃子像素施加所述致动电压时防止所述边缘子像素致动的最小开口大小。
14.如权利要求13所述的非瞬态介质,其特征在于,所述软件包括用于控制所述至少一个设备执行以下操作的指令:
确定各自具有所述最小开口大小的开口的边缘子像素的阵列的边缘子像素区域反射率。
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