[发明专利]非活跃的哑像素

说明书

优先权要求

本申请要求于2011年3月15日提交且题为“Inactive Dummy Pixels（非活跃的哑像素）”的美国临时申请号61/453,089（代理人案号QUALP043P/102795P1）以及于2011年12月19日提交且题为“Inactive Dummy Pixels（非活跃的哑像素）”的美国申请号13/329,502（代理人案号QUALP073/110571）的优先权，这两篇申请通过援引并出于所有目的被包括于此。

技术领域

本公开涉及显示设备，包括但不限于纳入了机电系统的显示设备。

相关技术描述

机电系统（EMS）包括具有电气及机械元件、致动器、换能器、传感器、光学组件（包括镜子）以及电子器件的设备。EMS可以在各种尺度上制造，包括但不限于微米尺度和纳米尺度。例如，微机电系统（MEMS）器件可包括具有范围从大约一微米到数百微米或以上的大小的结构。纳米机电系统（NEMS）器件可包括具有小于一微米的大小（包括例如小于几百纳米的大小）的结构。机电元件可使用沉积、蚀刻、光刻和/或蚀刻掉基板和/或所沉积材料层的部分、或添加层以形成电气及机电器件的其它微机械加工工艺来制作。

一种类型的EMS器件被称为干涉测量（interferometric）调制器（IMOD）。如本文所使用的，术语IMOD或干涉测量光调制器是指使用光学干涉原理来选择性地吸收和/或反射光的器件。在一些实现中，IMOD可包括一对导电板，这对导电板中的一者或两者可以完全或部分地是透明的和/或反射性的，且能够在施加恰适电信号时进行相对运动。在一实现中，一块板可包括沉积在基板上的静止层，而另一块板可包括与该静止层相隔一气隙的反射膜。一块板相对于另一块板的位置可改变入射在该IMOD上的光的光学干涉。IMOD器件具有非常广范围的应用，且预期将用于改善现有产品以及创造新产品，尤其是具有显示能力的那些产品。

在许多显示器中，除了在边缘处以外，贯穿显示器使得像素是均匀的。一般使用相同的基本掩模、工艺等来制造所有其他像素。然而，边缘像素被不同地对待。举例而言，在一些实现中，边缘像素是阵列中仅有的在两侧上不具有相同类型结构的像素。

一般而言，这些边缘像素不用作被用于显示器的像素“活跃区域”的部分。在一些像素阵列中，光阻材料或黑色掩模材料可被用来遮掩边缘像素。一些边缘像素会汲取功率、移动等，即使它们不是活跃显示区域的一部分。

概述

本公开的系统、方法和设备各自具有若干个创新性方面，其中并不由任何单个方面全权负责本文中所公开的期望属性。

本公开中所描述的主题内容的一个创新性方面可在一种显示装置中实现。该显示装置可包括具有第一电极层和第二电极层的子像素。边缘子像素的第一电极层可包括开口。开口的尺寸可被选择成达到该边缘子像素的期望致动电压。在一些实现中，可以使该开口足够大以防止该边缘子像素致动。举例而言，该期望致动电压可以大于将在显示器的活跃区域中的第一电极层与第二电极层之间施加的电压。

开口的大小还可被选择成达到边缘子像素阵列的期望整体反射率。举例而言，开口的大小可被选择为使边缘像素阵列看上去类似于布线区域。开口可使得边缘子像素具有与布线区域的第二反射率基本相似的第一反射率。

本公开中所描述的主题内容的另一个创新性方面可在一种包括布线区域、包括多个活跃子像素的活跃子像素阵列、阵列驱动器和边缘子像素阵列的装置中实现。边缘子像素阵列可包括配置成提供布线区域与活跃子像素阵列之间的电连通性的多个边缘子像素。边缘子像素和活跃子像素中的每一个可包括第一导电层和第二导电反射层。边缘子像素的第一导电层中可形成有开口，该开口足够大以在阵列驱动器经由边缘子像素向活跃子像素阵列施加活跃子像素致动电压时防止该边缘子像素致动。

该开口可使得边缘子像素具有比活跃子像素致动电压高的边缘子像素致动电压。该开口可允许环境光直接从边缘子像素的第二导电反射层反射并从该边缘子像素显现出来。该开口可使得边缘子像素具有与布线区域的反射率基本相似的反射率。