[发明专利]谱成像探测器

权利要求书

1.一种方法，包括：

获得具有两个相对的主表面（302和308）的光电传感器基底（236），其中，所述两个相对的主表面中的一个主表面包括由至少一个光电传感器元件（232，234）构成的至少一个光电传感器行（230），并且所获得的光电传感器基底具有等于或大于一百微米的厚度；

将闪烁体阵列（310）光学耦合至所述光电传感器基底，其中，所述闪烁体阵列包括由至少一个互补闪烁体元件（226，228）构成的至少一个互补闪烁体行（224），并且所述至少一个互补闪烁体行光学耦合至所述至少一个光电传感器行（230）且所述至少一个互补闪烁体元件光学耦合至所述至少一个光电传感器元件；以及

对光学耦合至所述闪烁体的所述光电传感器基底进行减薄，产生光学耦合至所述闪烁体的厚度在小于一百微米的量级的减薄的光电传感器基底。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述两个相对的主表面中的所述一个主表面包括第一区域（304）和第二区域（306），其中，由所述至少一个光电传感器元件构成的所述至少一个光电传感器行仅耦合至所述第一区域且所述闪烁体耦合至由所述至少一个光电传感器元件构成的所述至少一个光电传感器行和所述第二区域。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述闪烁体包括光学耦合至由所述至少一个光电传感器元件构成的所述至少一个光电传感器行的第一闪烁体的和耦合至所述第二区域的另一材料。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的方法，还包括：

在将所述闪烁体光学耦合至所述光电传感器基底之前，将处理电子器件（240）或导电引脚（238）中的至少之一耦合至所述光电传感器基底，其中，在将所述闪烁体耦合至所述光电传感器基底之后，将所述处理电子器件或所述导电引脚中的所述至少之一设置在所述光电传感器基底与所述闪烁体之间。

5.如权利要求4所述的方法，其中，由所述至少一个光电传感器元件构成的所述至少一个光电传感器行和所述处理电子器件或所述导电引脚中的所述至少之一设置在所述光电传感器基底的相同表面（508）上。

6.如权利要求4所述的方法，其中，所述处理电子器件或所述导电引脚中的至少之一设置在所述闪烁体阵列的凹部（604）中的表面（606）上。

7.如权利要求4至6中的任一项所述的方法，还包括：

在将所述处理电子器件、所述导电引脚、和所述闪烁体阵列耦合至所述光电传感器基底之前，对所述光电传感器基底进行减薄；

将所述减薄的光电传感器基底放置在支撑载体上；

在将所述光电传感器基底放置在所述支撑载体上时，将所述处理电子器件和所述导电引脚安装至所述减薄的光电传感器基底；以及

在将所述光电传感器基底放置在所述支撑载体上时，将所述闪烁体阵列光学耦合至所述减薄的光电传感器基底。

8.如权利要求4至6中的任一项所述的方法，其中，所述光电传感器基底是包括多个光电传感器基底的材料片的部分，并且所述方法还包括：

将多个处理电子器件分别耦合至所述多个光电传感器基底；以及

在至少将所述处理电子器件耦合至所述光电传感器基底之后，将所述光电传感器基底从所述材料片物理去除。

9.如权利要求1至8中的任一项所述的方法，还包括：

将所述光电传感器基底放置在支撑结构上，然后至少将所述闪烁体耦合至所述光电传感器基底并将所述光电传感器基底上的至少一个部件（244，240，238，704）与所述支撑结构上的所述光电传感器基底耦合。

10.如权利要求1所述的方法，还包括：

将所述至少一个光电传感器元件电耦合至位于所述光电传感器基底外部的处理电子器件。

11.如权利要求1至10中的任一项所述的方法，还包括：

将多个所述减薄的光电传感器基底机械且电耦合至探测器瓦基底（242），由此形成探测器瓦（220）。

12.如权利要求11所述的方法，还包括：

机械且电耦合多个所述探测器瓦，以形成探测器阵列。

13.如权利要求1至10中的任一项所述的方法，其中，所述减薄的光电传感器基底的厚度在从二十五至七十五微米的范围中。