[发明专利]被膜形成用组合物

权利要求书

1.一种被膜形成用组合物，其含有：（A）有机烷氧基硅烷、（B）含有硅原子键合氢原子的有机聚硅氧烷、以及（C）缩合反应触媒。

2.如权利要求1所述的被膜形成用组合物，其中，所述（B）含有硅原子键合氢原子的有机聚硅氧烷为下述平均单元式（1）表示的物质：

[R¹R²R³SiO_1/2]₂[R⁴HSiO_2/2]_m[R⁵₂SiO_2/2]_n  (1)

式中，R¹、R²及R³分别单独为一价烃基或氢原子，R⁴及R⁵分别单独为一价烃基，m为0或正数，n为正数，（m+n）值为5～500，{m/（m+n）}值为0～0.3，但m>0时，与分子链末端甲硅烷基的硅原子键合的氢原子为0～2个，m=0时，与分子链末端甲硅烷基的硅原子键合的氢原子为1或2个。

3.如权利要求1或权利要求2所述的被膜形成用组合物，其中，所述平均单元式（1）中，m=0。

4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的被膜形成用组合物，其中，所述（C）缩合反应触媒为锌、锡、锰、钴或铁类触媒。

5.如权利要求1至权利要求4中任一项所述的被膜形成用组合物，其中，以所述组合物的所有固体部分质量为基准，所述（A）有机烷氧基硅烷的配伍量为1质量%～90质量%。

6.如权利要求1至权利要求5中任一项所述的被膜形成用组合物，其中，以所述组合物的所有固体部分质量为基准，所述（B）含有硅原子键合氢原子的有机聚硅氧烷的配伍量为1质量%～90质量%。

7.如权利要求1至权利要求6中任一项所述的被膜形成用组合物，其中，以所述组合物的所有固体部分质量为基准，所述（C）缩合反应触媒的配伍量为0.001质量%～8质量%。

8.如权利要求1至权利要求7中任一项所述的被膜形成用组合物，其还含有（D）硅树脂。

9.如权利要求8所述的被膜形成用组合物，其中，所述（D）硅树脂为下述平均单元式（2）表示的物质：

[R⁶SiO_3/2]_a[R⁷R⁸_pSiO_(3-p)/2]_b  (2)

式中，R⁶及R⁷分别单独为一价烃基，R⁸为烷氧基或羟基，但R⁸中70摩尔%以上为烷氧基，p为1≤p<3范围的数，a为0或正数，b为正数，0.5≤b/（a+b）≤1.0。

10.如权利要求1至权利要求9中任一项所述的被膜形成用组合物，其还含有（E）氢化硅烷化反应触媒。

11.一种被膜形成方法，其包括将权利要求1至权利要求10中任一项所述的被膜形成用组合物应用于基体表面，然后加热所述被膜形成用组合物。

12.如权利要求11所述的被膜形成方法，其中，所述基体表面由无机材料构成。

13.如权利要求11或权利要求12所述的被膜形成方法，其中，所述基体表面具有含硅被膜。

14.如权利要求11至权利要求13中任一项所述的被膜形成方法，其中，所述加热在100℃～300℃温度范围内进行。

15.一种基体，其具有通过权利要求11至权利要求14中任一项所述的被膜形成方法在表面形成的被膜。

16.如权利要求15所述的基体，其在含水蒸气的气体中使用。

17.一种散热器，其具备权利要求15或权利要求16所述的基体。

18.一种热交换器，其具备权利要求15或权利要求16所述的基体、或者权利要求17所述的散热器。