[发明专利]被膜形成用组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种被膜形成用组合物和被膜形成方法、以及表面形成有被膜的基体及其用途。

背景技术

众所周知，在具备斥水性的各种基体表面镀上具有硅原子键合氢原子的有机聚硅氧烷，可形成疏水性被膜。

例如，日本专利特开2000-119642号公报记载了一种斥水性被膜形成用组合物，其含有的有机聚硅氧烷具有硅原子键合氢原子；日本专利特开2010-60162号公报记载了一种热泵式空调器，其具有的热交换器具备散热片，该散热片具有由该组合物构成的斥水性被膜。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】日本专利特开2000-119642号公报

【专利文献2】日本专利特开2010-60162号公报

发明内容

发明拟解决的问题

但是，具有上述斥水性被膜的表面，其疏水性不充分，例如散热片表面具备上述斥水性被膜时，如果不以接近垂直的角度配置散热片，则表面附着的水滴难以滑落。在水滴附着于散热片上的状态下，由于运转条件的原因，会导致散热片表面结霜，热交换器上的通风阻力增大，通风量降低，并且热交换器的热交换面上空气一侧的热传递性能降低，从而热交换器的能力下降。

本发明目的在于提供一种可形成具有高疏水性且具备充分水滑性能的斥水性被膜的组合物及其方法。此外，本发明目的还在于提供一种具备这种高疏水性的基体，例如散热器。

发明内容

本发明目的可通过含有

(A)有机烷氧基硅烷、

(B)含有硅原子键合氢原子的有机聚硅氧烷、以及

(C)缩合反应触媒。

的被膜形成用组合物而实现。

作为所述（B）含有硅原子键合氢原子的有机聚硅氧烷，优选为下述平均单元式（1）表示的物质：

[R¹R²R³SiO_1/2]₂[R⁴HSiO_2/2]_m[R⁵₂SiO_2/2]_n  (1)

式中，R¹、R²及R³分别单独为一价烃基或氢原子，R⁴及R⁵分别单独为一价烃基，m为0或正数，n为正数，（m+n）值为5～500，{m/（m+n）}值为0～0.3，但m>0时，与分子链末端甲硅烷基的硅原子键合的氢原子为0～2个，m=0时，与分子链末端甲硅烷基的硅原子键合的氢原子为1或2个。

所述平均单元式（1）中，优选为m=0者。

作为所述（C）缩合反应触媒，优选为锌、锡、锰、钴或铁类触媒。

以组合物的所有固体部分质量为基准，本发明的被膜形成用组合物中所述（A）有机烷氧基硅烷的配伍量优选为1～90质量%范围。

以组合物的所有固体部分质量为基准，本发明的被膜形成用组合物中所述（B）含有硅原子键合氢原子的有机聚硅氧烷的配伍量优选为1～90质量%范围。

以组合物的所有固体部分质量为基准，本发明的被膜形成用组合物中所述（C）缩合反应触媒的配伍量优选为0.001～8质量%范围。

本发明的被膜形成用组合物优选还含有（D）硅树脂。

作为所述（D）硅树脂，优选为下述平均单元式（2）表示的物质：

[R⁶SiO_3/2]_a[R⁷R⁸_pSiO_(3-p)/2]_b  (2)

式中，R⁶及R⁷分别单独为一价烃基，R⁸分别单独为烷氧基或羟基，但R⁸中70摩尔%以上为烷氧基，p为1≤p<3范围的数，a为0或正数，b为正数，0.5≤b/（a+b）≤1.0。

本发明的被膜形成用组合物还可含有（E）氢化硅烷化反应触媒。

本发明还涉及一种将上述被膜形成用组合物应用于基体表面，然后加热的被膜形成方法。