[发明专利]轧制铜箔有效
申请号: | 201280015838.7 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN103442818A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 中室嘉一郎;千叶喜宽;大久保光浩;鲛岛大辅 | 申请(专利权)人: | JX日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | B21B3/00 | 分类号: | B21B3/00;B21B1/40;C22C9/00;C22F1/00;C22F1/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 熊玉兰;孟慧岚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 轧制 铜箔 | ||
技术领域
本发明涉及适合用于要求弯曲性的FPC中的轧制铜箔。
背景技术
弯曲用FPC(柔性印刷电路板)中使用的铜箔要求高的弯曲性。作为用于赋予铜箔弯曲性的方法,已知提高铜箔的(200)面的结晶方位的取向度的技术(专利文献1)、增加在铜箔的板厚方向上贯穿的晶粒的比例的技术(专利文献2)、将铜箔的相当于油坑的深度的表面粗糙度Ry(最大高度)降低至2.0μm以下的技术(专利文献3)。
通常的FPC制造步骤如下所述。首先将铜箔与树脂膜接合。对于接合,有通过对涂布在铜箔上的清漆施加热处理来进行酰亚胺化的方法、将带有粘接剂的树脂膜与铜箔重叠进行层压的方法。将通过这些步骤接合的带有树脂膜的铜箔称为CCL(覆铜层压板)。通过该CCL制造步骤中的热处理,铜箔再结晶。
但是,使用铜箔制造FPC时,若为了提高与覆盖膜的密合性而对铜箔表面进行蚀刻,则表面上有可能产生直径为数10μm左右的凹陷(碟型下陷)。认为其原因在于,在以再结晶退火后立方体组织扩展的方式将结晶方位控制于(200)面时,整个面形成为均一的蚀刻速度,相对于此,如果局部地存在具有不同的晶粒方位的晶粒,则仅该部分形成与周围不同的蚀刻速度,与周围相比,局部地形成深的凹陷。该凹陷成为使电路的蚀刻性降低、或在外观检查中被判定为不良而使成品率降低的原因。
作为减少这种凹陷的方法,报告了在轧制前或轧制后对铜箔的表面进行机械抛光,提供形成加工变质层的变形后、进行再结晶的技术(专利文献4)。根据该技术,在由于加工变质层而再结晶后,在表面上存在很多不均一的晶粒,结晶方位不同的晶粒不会单独存在。
另一方面,本申请人报告了如下技术(专利文献5):为了使铜箔表面适度地平滑而减少上述的凹陷、同时防止使铜箔表面过于平滑而产生通箔时的横向滑动等,而使轧制垂直方向的表面粗糙度Ras比轧制平行方向的表面粗糙度Rap大。
现有技术文献
专利文献
专利文献1 : 专利第3009383号公报
专利文献2 : 日本特开2006-117977号公报
专利文献3 : 日本特开2001-058203号公报
专利文献4 : 日本特开2009-280855号公报
专利文献5 : 日本特开2010-227971号公报。
发明内容
但是,专利文献4记载的技术的情况下,由于不均一的晶粒多,铜箔表面的结晶不沿(200)面取向,因此存在弯曲性降低的问题。
另一方面,虽然为了确保在铜箔的制造时与辊的密合性、或使铜箔制品的操作变得容易,而进行使最终冷轧时的辊的粗糙度变大、使铜箔表面变得粗糙的处理,但如果使铜箔表面粗糙,则铜箔表面的结晶的取向度降低,弯曲性差、或易于产生碟型下陷。因此,在上述的专利文献5中,记载了为了使铜箔表面适度地平滑,而将最终冷轧中的轧制辊的表面粗糙度Raroll设为0.05~0.15μm,且使其油膜当量小于30000(专利文献5的段落0014)。然而,判定通过该制造方法制造铜箔时,在该操作时,易于在表面产生伤痕(参照下述实施例中的“参考例”)。
即,本发明是为了解决上述课题而作出的发明,其目的在于提供即使为了提高操作性而使铜箔表面适度地粗糙,也不会使弯曲性劣化、且在表面难以产生伤痕、表面的蚀刻特性良好的轧制铜箔。
本发明人等进行了各种研究,结果发现:在最终冷轧的最终道次之前不太使铜箔的表面粗糙(例如用粗糙度低的辊轧制),而在最终冷轧的最终道次中,使铜箔的表面粗糙(例如用粗糙的辊轧制,即,在最终冷轧的最终道次、和其之前改变轧制辊的粗糙度),由此即使使最终的铜箔的表面粗糙,剪切带也不会在铜箔的厚度方向到达太深,可在不使弯曲性劣化的情况下减少碟型下陷,且在铜箔的操作时,在表面难以产生伤痕。
为了实现上述目的,对于本发明的轧制铜箔,在铜箔表面、在轧制平行方向上长度为175μm测定的表面粗糙度Ra、与上述铜箔的厚度t的比率Ra/t为0.004以上且0.007以下,使用聚焦离子束,制作沿上述铜箔的轧制平行方向的长度为25μm的截面,观察该截面的扫描离子显微镜图像时,在上述铜箔的厚度方向上的剪切带的到达深度Ls的平均值Lsa,相对于上述铜箔的厚度t,满足0.01≦Lsa/t≦0.4的关系。
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