[发明专利]接合结构体

权利要求书

1.一种接合结构体，其具备：

基板的电极；

半导体元件的电极；和

将所述基板的电极与所述半导体元件的电极之间接合的接合层，

所述接合层从所述基板的电极朝向所述半导体元件的电极依次配置有：

包含CuSn系的金属间化合物的第一金属间化合物层；

Bi层；

包含CuSn系的金属间化合物的第二金属间化合物层；

Cu层；和

包含CuSn系的金属间化合物的第三金属间化合物层。

2.如权利要求1所述的接合结构体，其中，

所述接合层在所述第三金属间化合物层与所述半导体元件的电极之间还依次配置有：

Bi层；和

包含CuSn系的金属间化合物的第四金属间化合物层。

3.如权利要求1或2所述的接合结构体，其中，

所述CuSn系的金属间化合物包含Cu₆Sn₅及Cu₃Sn中的至少一种金属间化合物。

4.如权利要求1～3中任一项所述的接合结构体，其中，

所述Cu层的厚度为6.2μm以上。

5.如权利要求4所述的接合结构体，其中，

所述接合层与所述半导体元件的电极的接合面的面积为5mm²以上且100mm²以下。

6.如权利要求1或2所述的接合结构体，其中，

所述第一金属间化合物层具有CuSn系的金属间化合物且包含AgSn系金属间化合物。

7.如权利要求2所述的接合结构体，其中，

所述第四金属间化合物层具有CuSn系的金属间化合物且包含AgSn系金属间化合物。

8.一种接合材料，其为向基板的电极与半导体元件的电极之间插入的接合材料，其中，

所述接合材料依次配置有：

Sn层；

Cu层；和

Sn-Bi层，

所述Cu层的厚度为所邻接的所述Sn层及所述Sn-Bi层的厚度以上。

9.一种接合材料，其为向基板的电极与半导体元件的电极之间插入的接合材料，

所述接合材料依次配置有：

第一Sn-Bi层；

Cu层；和

第二Sn-Bi层，

所述Cu层的厚度为所邻接的所述第一Sn-Bi层及第二Sn-Bi层各自的厚度以上。