[发明专利]半导体装置和显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

绝缘基板；

在所述绝缘基板上形成的多个配线；

多个薄膜晶体管；和

多个二极管元件，该多个二极管元件各自将所述多个配线中的2条配线相互电连接，

所述半导体装置的特征在于：

所述多个二极管元件各自具有：

与所述薄膜晶体管的栅极电极由相同的导电膜形成的第一电极；

在所述第一电极上形成的氧化物半导体层；和

与所述薄膜晶体管的源极电极由相同的导电膜形成，并且与所述氧化物半导体层接触的第二电极和第三电极，

所述氧化物半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间、以及所述第一电极与所述第三电极之间分别具有偏置区域，在从所述绝缘基板的法线方向看时，所述偏置区域与所述第一电极不重叠。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在从所述绝缘基板的法线方向看时，所述偏置区域与所述第一电极、第二电极和第三电极均不重叠。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述偏置区域的与沟道方向平行的方向的宽度为3μm以上5μm以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个二极管元件彼此方向相反地并联地电连接。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体层含有In、Ga和Zn中的至少1种。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个配线包括多个源极配线和多个栅极配线，

所述多个二极管元件包括将2条源极配线相互电连接的二极管元件和将2条栅极配线相互电连接的二极管元件中的至少1种。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个配线还包括多个辅助电容配线、共用电极配线和多个检查信号配线中的任意配线，

所述多个二极管元件包括：将2条源极配线相互电连接的二极管元件、将2条栅极配线相互电连接的二极管元件、将栅极配线与辅助电容配线相互电连接的二极管元件、将源极配线与辅助电容配线相互电连接的二极管元件、将辅助电容配线与共用电极配线相互电连接的二极管元件、将栅极配线与共用电极配线相互电连接的二极管元件、将源极配线与共用电极配线相互电连接的二极管元件、或将2条检查信号配线相互电连接的二极管元件。

8.一种显示装置，其特征在于：

具有权利要求1～7中任一项所述的半导体装置。