[发明专利]半导体装置和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及具备薄膜晶体管（TFT）的半导体装置和具有这样的半导体装置的显示装置。

背景技术

近年来，使用具有铟（In）、锌（Zn）或镓（Ga）等的氧化物半导体层的TFT（氧化物半导体TFT）的开发积极地进行（例如专利文献1～3）。氧化物半导体TFT具有迁移率高的特性，因此，例如被期待能够使具备氧化物半导体TFT的液晶显示装置的显示品质提高。

另一方面，半导体装置的制造工艺包括容易产生静电的工序，由于静电，会发生特性改变、或静电击穿，因此，存在具备TFT的半导体装置的良品率下降的问题。特别是在液晶显示装置的TFT基板（半导体装置）中，存在由产生的静电引起的成品率下降的问题。

因此，提出了具备用于防止由静电引起的损坏的各种单元的TFT基板（例如专利文献4）。专利文献4中公开了为了防止静电击穿而设置有二极管环的TFT基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-298062号公报

专利文献2：日本特开2009-253204号公报

专利文献3：日本特开2008-166716号公报

专利文献4：日本特开平11-271722号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，本发明人发现：即使在具备氧化物半导体TFT的半导体装置中采用专利文献4中公开的静电防止用的二极管环，在进行驱动的电压附近，氧化物半导体层的电阻值小，作为静电防止用的二极管环也存在不良情况。对于在绝缘基板上具备迁移率高的氧化物半导体TFT并且具备双向的静电防止用二极管环的半导体装置的制造方法，这是共同的技术问题。

本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的在于，提供在具备氧化物半导体TFT的半导体装置中，能够防止由静电引起的损坏的半导体装置和具备这样的半导体装置的显示装置。

用于解决技术问题的手段

本发明的实施方式的半导体装置具有：绝缘基板；在上述绝缘基板上形成的多个配线；多个薄膜晶体管；和多个二极管元件，该多个二极管元件各自将上述多个配线中的2条配线相互电连接，上述半导体装置的特征在于，上述多个二极管元件各自具有：与上述薄膜晶体管的栅极电极由相同的导电膜形成的第一电极；在上述第一电极上形成的氧化物半导体层；和与上述薄膜晶体管的源极电极由相同的导电膜形成，并且与上述氧化物半导体层接触的第二电极和第三电极，上述氧化物半导体层在上述第一电极与上述第二电极之间、以及上述第一电极与上述第三电极之间分别具有偏置区域，在从上述绝缘基板的法线方向看时，上述偏置区域与上述第一电极不重叠。

在一个实施方式中，在从上述绝缘基板的法线方向看时，上述偏置区域与上述第一电极、第二电极和第三电极均不重叠。

在一个实施方式中，上述偏置区域的与沟道方向平行的方向的宽度为3μm以上5μm以下。

在一个实施方式中，上述多个二极管元件彼此方向相反地并联地电连接。

在一个实施方式中，上述氧化物半导体层含有In、Ga和Zn中的至少1种。

在一个实施方式中，上述多个配线包括多个源极配线和多个栅极配线，上述多个二极管元件包括将2条源极配线相互电连接的二极管元件和将2条栅极配线相互电连接的二极管元件中的至少1种。

在一个实施方式中，上述多个配线还包括多个辅助电容配线、共用电极配线和多个检查信号配线中的任意配线，上述多个二极管元件包括：将2条源极配线相互电连接的二极管元件、将2条栅极配线相互电连接的二极管元件、将栅极配线与辅助电容配线相互电连接的二极管元件、将源极配线与辅助电容配线相互电连接的二极管元件、将辅助电容配线与共用电极配线相互电连接的二极管元件、将栅极配线与共用电极配线相互电连接的二极管元件、将源极配线与共用电极配线相互电连接的二极管元件、或将2条检查信号配线相互电连接的二极管元件。

本发明的实施方式的显示装置具有上述的半导体装置。

发明效果

根据本发明，能提供在具备氧化物半导体TFT的半导体装置中，能够防止由静电引起的损坏的半导体装置和具备这样的半导体装置的显示装置。

附图说明

图1（a）是本发明的实施方式的半导体装置100的等价电路图，（b）是表示二极管元件10的电压-电流特性的曲线图。

图2（a）是具备二极管元件10的半导体装置100的示意性的平面图，（b）是沿（a）的I-I’线的示意性的截面图。