[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201280017303.3 | 申请日: | 2012-03-01 |
公开(公告)号: | CN103460277A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 蒂尔曼·鲁戈海默;诺温·文马尔姆;斯特凡·伊莱克 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | G09G3/34 | 分类号: | G09G3/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;田军锋 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,具有:
-多个像素(1),
-至少一个连接载体(2),和
-多个无机的发光二极管芯片(3),
其中
-所述连接载体(2)包括多个开关(21),
-每个像素(1)包含至少一个发光二极管芯片(3),
-每个发光二极管芯片(3)机械固定且电连接在所述连接载体(2)上,
-每个开关(21)建立为用于控制至少一个发光二极管芯片(3)和/或每个开关(21)一对一地与一个发光二极管芯片(3)相关联,以及
-所述发光二极管芯片(3)是所述显示装置的成像元件。
2.根据上一项权利要求所述的显示装置,具有:
-接触层(4),所述接触层将至少两个发光二极管芯片(3)彼此导电地连接,和
-光学装置本体(6),所述光学装置本体设置在所述发光二极管芯片(3)的至少一部分的下游,其中,
-辐射穿透面(3a)在所述发光二极管芯片(3)的背离所述连接载体(2)的一侧上构成,
-所述接触层(4)局部地构成为是辐射可穿透的,
-所述接触层(4)局部地借助对于由所述发光二极管芯片(3)在运行中产生的电磁辐射反射的材料形成,
-由所述发光二极管芯片(3)在运行中产生的所述电磁辐射(5)至少部分地穿过所述光学装置本体(6),并且
-所述电磁辐射(5)在穿过所述光学装置本体(6)时被以光学的方式扩展,
-所述光学装置本体(6)包括辐射可穿透的分隔结构(62),所述分隔结构将相邻的像素(1)以光学的方式彼此分隔,
-所述分隔结构(62)从所述光学装置本体(6)的基本体(64)的朝向所述发光二极管芯片的一侧在朝向所述基本体(64)的背离所述发光二极管芯片(3)的一侧的方向上延伸并且不完全地穿过所述基本体(64),以及
-所述分隔结构(62)通过所述光学装置本体(6)的基本体(64)中的凹槽形成,所述凹槽填充有下述材料的至少一种:TiO2,Al2O3。
3.根据上述权利要求中的任一项所述的显示装置,具有:
-接触层(4),所述接触层将至少两个发光二极管芯片(3)彼此导电地连接。
4.根据上一项权利要求所述的显示装置,
其中
-所述接触层(4)至少局部地构成为是辐射可穿透的,以及
-所述接触层至少局部地覆盖由所述接触层(4)彼此导电地连接的所述发光二极管芯片(3)的辐射穿透面(3a)。
5.根据上一项权利要求所述的显示装置,
其中
-所述辐射穿透面(3a)在所述发光二极管芯片(3)的背离所述连接载体(2)的一侧上构成。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的显示装置,
其中
-所述接触层(4)至少局部地构成为是辐射可穿透的,以及
-所述接触层(4)至少局部地借助对于由所述发光二极管芯片(3)在运行中产生的电磁辐射反射的材料形成。
7.根据权利要求3至6中的任一项所述的显示装置,
其中
-所述接触层(4)局部地由透明的、导电的氧化物形成。
8.根据权利要求3至7中的任一项所述的显示装置,
其中
-所述接触层(4)局部地借助进行反射的金属如银或铝形成。
9.根据上述权利要求中的任一项所述的显示装置,具有:
-光学装置本体(6),所述光学装置本体设置在所述发光二极管芯片(3)的至少一部分的下游,其中
-由所述发光二极管芯片(3)在运行中产生的所述电磁辐射(5)至少部分地穿过所述光学装置本体(6),并且
-所述电磁辐射(5)在穿过所述光学装置本体(6)时以光学的方式扩展。
10.根据上一项权利要求所述的显示装置,
-所述光学装置本体(6)包括辐射可穿透的分隔结构(62),所述分隔结构将相邻的像素(1)以光学的方式彼此分隔。
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