[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201280017303.3 | 申请日: | 2012-03-01 |
公开(公告)号: | CN103460277A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 蒂尔曼·鲁戈海默;诺温·文马尔姆;斯特凡·伊莱克 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | G09G3/34 | 分类号: | G09G3/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;田军锋 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
技术领域
本发明提出一种显示装置。
发明内容
待实现的目的在于,提出一种显示装置,所述显示装置实现具有高的对比度值和快速的开关时间的成像。
根据显示装置的至少一个实施形式,显示装置具有多个像素(英语中也写作“Pixel”)。待成像的图像由显示装置的像素组成。像素例如矩阵状地设置在行和列中。每个像素例如能够适合于显示三种色彩,例如红、绿和蓝。所述颜色作为光由显示装置的成像的元件产生。
根据显示装置的至少一个实施形式,显示装置包括至少一个连接载体。显示装置例如能够包括多个连接载体,所述连接载体彼此相邻地设置。此外可行的是,显示装置包括唯一的连接载体。连接载体用作为用于显示装置的成像元件的机械载体。所述连接载体能够实施为是刚性的或者是柔性的。此外,连接载体也用于电接触以及控制成像元件。在此可行的是,连接载体构成为是辐射可穿透的、透明的或者是辐射不可穿透的,例如是吸收辐射的和/或反射辐射的。
根据显示装置的至少一个实施形式,显示装置包括多个发光二极管芯片。发光二极管芯片例如是彩色的发光二极管芯片,所述彩色的发光二极管芯片在运行时产生彩色的光。发光二极管芯片在此能够直接产生彩色的光。此外可行的是,显示装置的发光二极管芯片产生紫外辐射或者蓝色的光,所述蓝色的光由与所述发光二极管芯片相关联的转换元件转换为其它颜色的光。显示装置的发光二极管芯片的数量在此优选至少相应于显示装置的像素的数量。
根据显示装置的至少一个实施形式,连接载体包括多个开关。每个开关在此特别建立为用于控制至少一个发光二极管芯片。开关例如是薄膜晶体管或者CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)-结构。开关例如设置在连接载体的基本体上。每个开关建立为用于控制至少一个发光二极管芯片。所述控制例如能够是接通和/或断开与开关相关联的发光二极管芯片。此外,借助于开关例如也能够调节驱动发光二极管芯片的电流强度。每个开关接触相关联的发光二极管芯片的n型侧或者p型侧。
根据显示装置的至少一个实施形式,每个发光二极管芯片机械固定并且电连接在显示装置的连接载体上。在此发光二极管芯片未封装地机械固定且电连接在连接载体上。也就是说,发光二极管芯片直接被施加在连接载体上,而不存在其中设置有发光二极管芯片的、例如由塑料或者陶瓷材料制成的壳体。发光二极管芯片在此形成显示装置的成像元件。也就是说,显示装置特别是没有其它的成像元件,例如LCD(液晶显示)面板。相反,每个发光二极管芯片直接产生显示装置的相关联的像素的光。
根据显示装置的至少一个实施形式,显示装置包括多个像素、至少一个连接载体和多个发光二极管芯片。连接载体包括多个开关,其中每个发光二极管芯片机械固定且电连接在连接载体上,并且每个开关建立为用于控制至少一个发光二极管芯片。显示装置的每个像素包含至少一个发光二极管芯片,其中发光二极管芯片是显示装置的成像元件。
在这里所描述的显示装置的特征特别在于:通过单独地控制例如各个发光二极管的亮度实现高的对比度值,因为特别是通过完全地切断发光二极管芯片能够产生“真正的”黑色。取消例如液晶显示面板的其他成像元件,允许极其高的图像刷新率,由于作为成像元件的发光二极管芯片的控制尤其快速。因此显示装置尤其好地适合于在使用快门式眼镜的情况下进行三维显示。由于取消用于发光二极管芯片的壳体,各个发光二极管芯片能够彼此极其近地设置在一个连接载体上或者多个连接载体上。例如相邻的发光二极管芯片的间距为10μm或者更小。以这样的方式具有高分辨率的小型的显示器是可行的。此外取消其他的成像元件实现显示装置的极其平的结构,这实现极其薄的显示装置。此外,省去其它的成像元件提高显示装置的总效率,因为消除吸收损耗,例如在偏振滤波器或者其它的成像元件本身上的吸收损耗。
发光二极管芯片特别能够是没有生长衬底或者载体衬底的发光二级管芯片。也就是说,发光二极管芯片能够仅包括外延地制造的半导体层、接触层以及可能的转换层。这也实现特别平的显示装置,所述显示装置基本上仅通过连接载体的厚度以及发光二极管芯片的厚度来确定。发光二极管芯片在此特别是无机的发光二极管芯片,所述无机的发光二极管芯片例如基于III-V族复合物半导体材料。
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