[发明专利]有机EL元件的制造方法有效
| 申请号： | 201280017672.2 | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103503566B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 青沼昌树 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本有机雷特显示器 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H01L51/50;H05B33/26 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 徐健;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 el 元件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种有机EL元件的制造方法，所述有机EL元件具有包括上部电极和下部电极的一对电极、以及设置在所述一对电极之间的有机功能层，所述制造方法包括:
使用磁控溅射法，以4.5W/cm2以上且9.0W/cm2以下的成膜功率密度，在所述有机功能层上形成所述上部电极的步骤。
2.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，
使形成上部电极时的氛围气压为0.4Pa以上且1.6Pa以下。
3.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，
使形成上部电极时的每单位动态速率的离子电流密度为0.2mA/cm2以上且0.4mA/cm2以下。
4.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，
使用透明导电材料形成所述上部电极。
5.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，
使用氧化铟锡形成所述上部电极。
6.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，
所述上部电极为阴极，
所述下部电极为阳极。
7.根据权利要求6所述的有机EL元件的制造方法，
所述有机功能层由包括电子输送层的多个层构成，
在所述电子输送层上形成所述阴极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本有机雷特显示器，未经株式会社日本有机雷特显示器许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280017672.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
