[发明专利]有机EL元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机EL元件的制造技术，尤其涉及有机EL元件的电极形成技术。

背景技术

对于有机EL（电致发光）元件，通过在基板上按照下部电极、一层或多层有机功能层以及上部电极的顺序进行成膜，从而制造有机EL元件。

在该有机EL元件的制造工序中，通过热、等离子体等向靶材料提供能量，使构成靶材料的电极材料的粒子附着并堆积于成膜基底，由此形成电极。

由于通过热、等离子体等向靶材料提供能量，因此在有机功能层上成膜上部电极的工序中，作为成膜基底的有机功能层有时会受到热、等离子体等的影响而受到损伤。该有机功能层的损伤会导致有机EL元件的驱动电压、元件寿命等特性下降。

因此，在上部电极的成膜工序中，担心会由于对基底的有机功能层的损伤而引起有机EL元件的驱动电压、元件寿命等特性下降，因而通常采用蒸镀法、或者低能量工艺的溅射法（参考专利文献1、专利文献2）。例如在专利文献2中，通过使成膜功率密度为1W/cm²的溅射法来成膜上部电极。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2007-95338号公报

专利文献2：日本特开2007-39712号公报

发明内容

发明要解决的问题

以往，通过蒸镀法或者低能量工艺的溅射法，在有机功能层上成膜电极，由此来制造有机EL元件，但无法得到足够的驱动电压以及元件寿命的特性。

本发明是鉴于上述情形而完成的发明，目的在于提供一种能够制造驱动电压、元件寿命的特性优异的有机EL元件的有机EL元件制造方法。

用于解决问题的手段

为了达成上述目的，作为本发明的一实施方式的有机EL元件的制造方法是具有包括上部电极和下部电极的一对电极、以及设置在所述一对电极之间的有机功能层的有机EL元件的制造方法，其特征在于，使用磁控溅射法，以4.5W/cm²以上且9.0W/cm²以下的成膜功率密度，在所述有机功能层上形成所述上部电极。

发明的效果

通过4.5W/cm²以上且9.0W/cm²以下的成膜功率密度的磁控溅射法，以高能量工艺在有机功能层上形成电极，因此能够提高有机功能层和电极之间的密着性。由此，能够制造驱动电压、元件寿命的特性优异的有机EL元件。

附图说明

图1是表示有机EL元件100的结构的一例的剖视图。

图2是表示有机EL元件的制造工序的流程图。

图3是表示磁控溅射装置300的结构的图。

图4是表示改变成膜方式而成膜的ITO膜的单膜评价结果的图。

图5是表示改变氛围气压的成膜条件而成膜的ITO膜的单膜评价结果的图。

图6是表示改变成膜方式而成膜的ITO膜的透射率的测定结果的图。

图7是表示改变氛围气压的成膜条件而成膜的ITO膜的透射率的测定结果的图。

图8是表示Alq3膜/ITO膜界面的XPS分析结果的图。

图9是表示等离子体特性的测定结果的图。

图10是表示通过对向靶式溅射法成膜的ITO膜的SEM照片的图。

图11是表示通过磁控溅射法成膜的ITO膜的SEM照片的图。

图12是表示ITO膜的结晶尺寸的测定结果的图。

图13是表示ITO膜的结晶的晶格常数的测定结果的图。

图14是表示在对有机EL元件施加了5V电压的情况下流动的电流的值的图。

图15是表示有机EL元件的电压-电流密度特性的图。

图16是表示通过等离子体枪（plasma gun）蒸镀法、或者磁控溅射法在有机功能层上形成ITO膜而制造的有机EL元件的辉度（brightness）减半寿命的测定结果的图。

图17是表示通过对向靶式溅射法在有机功能层上形成ITO膜而制造的有机EL元件的辉度减半寿命的测定结果的图。

图18是表示通过磁控溅射法、对向靶式溅射法、或者等离子体枪蒸镀法在有机功能层上形成ITO膜而制造的有机EL元件的辉度减半寿命的测定结果的图。

标号说明