[发明专利]用于制造半导体本体的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体本体（3）的方法，具有下述步骤：

-提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有至少两个芯片区域（1）和设置在所述芯片区域（1）之间的至少一个分离区域（2），其中，所述半导体晶圆具有层序列，所述层序列的最外层至少在所述分离区域（2）内具有透射层（8），所述透射层对于电磁辐射而言是可穿透的；

-实施下述措施中的至少一个措施：

移除在所述分离区域（2）内的所述透射层（8）；

在所述分离区域内施加吸收层（16）；

提高在所述分离区域内的所述透射层的吸收系数；以及

-借助于激光沿着所述分离区域（2）分离所述芯片区域（1）。

2.如上一项权利要求所述的方法，其中，

-所述层序列在所述芯片区域（1）内具有有源区（5），所述有源区适于产生电磁辐射，以及

-所述分离区域（2）完全贯穿所述有源区（5）。

3.如上述权利要求之一所述的方法，其中，所述透射层（8）是钝化层。

4.如上述权利要求之一所述的方法，其中，所述透射层（8）具有下述材料中的一种材料：氧化物、氮化物。

5.如上述权利要求之一所述的方法，其中，所述透射层（8）的厚度位于3nm和500nm之间，其中包含边界值。

6.如上述权利要求之一所述的方法，其中，所述透射层（8）完全地覆盖所述芯片区域（1）的侧面（9）。

7.如上述权利要求之一所述的方法，其中，借助刻蚀工艺移除在所述分离区域（2）内的所述透射层（8）。

8.如上述权利要求之一所述的方法，其中，

-在所述分离区域（2）中和在所述芯片区域（1）中局部移除所述透射层（8），以至于在所述分离区域（2）内以及在所述芯片区域（1）内在所述透射层（8）中分别形成至少一个开口（14），并且

-在分离所述芯片区域（1）之前将金属层（15）设置在所述透射层（8）的所述开口（14）中。

9.如上一项权利要求所述的方法，其中，在所述芯片区域（1）的所述开口（14）中的所述金属层（15）设置为相应的所述半导体本体（3）的电接触部。

10.如上述权利要求之一所述的方法，其中，在所述透射层（8）上的所述吸收层（16）具有下述材料中的一种材料：铂、钌、铑、锇、铱、锆、钒、钽、铬、钼、钨、碳化物、碳化钨、碳化钛、碳化硅、硅、氮、氮化钛、氮化钽。

11.如上述权利要求之一所述的方法，其中，所述吸收层（16）具有高于所述透射层（8）的熔融温度和/或沸腾温度的熔融温度和/或沸腾温度。

12.如上述权利要求之一所述的方法，其中，每个芯片区域（1）具有光电子薄膜半导体本体（3）。

13.如上述权利要求之一所述的方法，其中，在所述分离区域（2）内的所述透射层（8）的吸收系数借助于下述方法中的一种方法被提高：将散射中心引入到所述透射层中；将掺杂材料注入到所述透射层中；湿化学改性。

14.如上述权利要求之一所述的方法，其中，所述分离区域（2）是锯切沟槽。