[发明专利]用于制造半导体本体的方法

说明书

技术领域

提出一种用于制造半导体本体的方法。

发明内容

本发明的目的是，提出一种用于制造半导体本体的方法，其中待产生的半导体本体在分割期间仅受到低的损坏风险。

所述目的通过一种具有权利要求1的步骤的方法来实现。在从属权利要求中给出所述方法的有利的实施形式和改进方案。

用于制造半导体本体的方法尤其包括下述步骤：

-提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有至少两个芯片区域和至少一个分离区域，所述分离区域设置在芯片区域之间，其中，半导体晶圆具有层序列，所述层序列的最外层至少在分离区域内具有透射层，所述透射层对于电磁辐射而言是能够穿透的；

-实施下述措施中的至少一个措施：

移除在分离区域内的透射层，

在分离区域内施加吸收层，

提高在分离区域内的透射层的吸收系数，以及

-借助于激光沿着分离区域分离芯片区域。

所述方法提供下述优点：在激光分离时能够至少减少层序列的最外的透射层的损坏。如果分离区域具有作为最外层的透射层，那么激光的电磁辐射在透射层内仅微少地被吸收，以至于透射层本身仅经受由于激光引起的轻微的分离作用。而位于透射层之下的材料在通常情况下明显更强地吸收激光的辐射，以至于所述材料蒸发，并且透射层至少在分离区域中局部地分裂。以这种方式和方法能够导致在透射层中的裂缝。此外，在分离过程中产生的残渣到达芯片区域，在那里所述残渣难以移除。

待产生的半导体本体例如能够是光电子半导体本体。

分离区域例如能够是锯切沟槽。

根据一个实施形式，光电子半导体本体的层序列在芯片区域内具有有源区，所述有源区在半导体本体运行时产生电磁辐射。在此，分离区域特别优选地完全地贯穿有源区。

有源区例如包括pn结、双异质结构、单量子阱或多量子阱结构（MQW）以用于产生辐射。在此，术语量子阱结构不包含关于量化的维数的说明。因此，量子阱结构此外包括量子槽、量子线和量子点以及这些结构的任意组合。

光电子半导体本体尤其具有作为其层序列的最外层的钝化层，例如以用于保护有源区，所述钝化层构造为透射层。钝化层例如相对于如与周围介质、如空气的化学反应是相对惰性的。此外，钝化层也能够电绝缘地构成。

至少对于有源区的辐射和/或由光电子半导体本体发射的光、通常情况下为可见光而言，透射层特别优选具有大于或等于0.9的透射系数。

透射层例如能够包含下述材料中的一种材料或者由下述材料中的一种材料构成：氧化物、氮化物。

透射层的厚度优选位于3nm和500nm之间，其中包含边界值。

根据所述方法的一个实施形式，透射层至少在有源区的区域中覆盖芯片区域的侧面。透射层特别优选地完全地覆盖芯片区域的侧面。由此能够对有源区有利地进行保护。电绝缘的透射层通常情况下还保护有源区以防止短路。

根据所述方法的一个实施形式，借助刻蚀工艺来移除分离区域内的透射层。刻蚀工艺例如能够是干化学刻蚀或湿化学刻蚀。

根据所述方法的一个实施形式，在分离区域中以及在芯片区域中局部地移除透射层，以至于在分离区域内以及在芯片区域内在透射层中分别形成至少一个开口。根据所述方法的一个实施形式，在每个芯片区域内在透射层中产生刚好一个开口，以及在分离区域内在透射层中产生刚好一个开口。此外，在分离芯片区域之前，将金属层设置在透射层的开口中。

在此，在芯片区域上的开口内的金属层优选设置为用于对相应的半导体本体以及——如果存在的——有源区进行电接触。通过在分离区域的开口内施加金属层，通常情况下能够有利地提高在分离区域内的激光的吸收。此外，以这种方式和方法，通常情况下有利地避免在制造半导体本体时的附加的光刻步骤。

金属层能够由不同的单层构成，其中，至少一个单层具有金属或者由金属构成。特别优选地，所有单层具有金属或者由金属构成。单层例如能够由下述材料中的一种材料构成或者具有下述材料中的一种材料：钛、铂、金。

金属层优选具有位于3nm和5μm之间的厚度，其中包含边界值。

如果吸收层设置在透射层上，那么所述吸收层优选具有下述材料中的一种材料或者由下述材料中的一种材料构成：铂、钌、铑、锇、铱、锆、钒、钽、铬、钼、钨、碳化物、碳化钨、碳化钛、碳化硅、硅、氮、氮化钛、氮化钽。

吸收层优选具有位于3nm和5μm之间的厚度，其中包含边界值。

特别优选地，吸收层设置为与透射层直接接触，以至于透射层和吸收层具有共同的边界面。