[发明专利]包括低辐射涂层的涂层制品、包括涂层制品的中空玻璃装置和/或其制备方法

权利要求书

1.一种涂层制品的制备方法，上述涂层制品包括由玻璃基材支撑的涂层，上述涂层制品的制备方法特征在于，包括：

将至少一个第一介电层配置在上述基材上；

将第一包含Ag的层配置在上述至少一个第一介电层上；

以将包含Ni和/或Cr的层配置在上述第一包含Ag的层上并与其相接触；

将至少一个第二介电层配置在上述包含Ni和/或Cr的层上；

将第二包含Ag的层配置在上述至少一个第二介电层上；

将第一包含Ni和Ti的层配置在上述第二包含Ag的层上并与其相接触；

将至少一个第三介电层配置在上述第一包含Ni和Ti的层上；

将第三包含Ag的层配置在上述至少一个第三介电层上；

将第二包含Ni和Ti的层配置在上述第三包含Ag的层上并与其相接触；以及

将至少一个第四介电层配置在上述第二包含Ni和Ti的层上。

2.根据权利要求1所述的涂层制品的制备方法，其特征在于，上述第三包含Ag的层比上述第二包含Ag的层更厚。

3.根据上述权利要求中任一项所述的涂层制品的制备方法，其特征在于，上述至少一个第二介电层包括包含Ti的氧化物的层。

4.根据上述权利要求中任一项所述的涂层制品的制备方法，其特征在于，上述至少一个第一介电层、第二介电层和第三介电层分别包括分别与上述第一包含Ag的层、第二包含Ag的层和第三包含Ag的层的下方直接接触的包含锌的层。

5.根据上述权利要求中任一项所述的涂层制品的制备方法，其特征在于，还包括配置第一含硅层作为上述涂层的最外层。

6.根据权利要求5所述的涂层制品的制备方法，其特征在于，还包括将第二含硅层作为上述至少一个第一介电层中的最底层。

7.根据权利要求6所述的涂层制品的制备方法，其特征在于，上述第一含硅层和第二含硅层包含氮化硅。

8.根据上述权利要求中任一项所述的涂层制品的制备方法，其特征在于，上述涂层具有小于或等于约1.2的方块电阻。

9.根据上述权利要求中任一项所述的涂层制品的制备方法，其特征在于，上述涂层制品具有至少约65%的可见光透射率。

10.根据上述权利要求中任一项所述的涂层制品的制备方法，其特征在于，上述包含Ni和/或Cr的层包含Ni和Ti两者或其氧化物。

11.一种能够热处理的涂层制品的制备方法，上述涂层制品包括由玻璃基材支撑的涂层，上述能够热处理的涂层制品的制备方法的特征在于，

包括：

将至少一个第一介电层配置在上述基材上，

将第一包含Ag的层配置在上述至少一个第一介电层上，

将包含Ni和/或Cr的层配置在上述第一包含Ag的层上并与其相接触，

将至少一个第二介电层配置在上述包含Ni和/或Cr的层上，

将第二包含Ag的层配置在上述至少一个第二介电层上，

将第一包含Ni和/或Ti的层配置在上述第二包含Ag的层上并与其相接触，

将至少一个第三介电层配置在上述第一包含Ni和/或Ti的层上，

将第三包含Ag的层配置在上述至少一个第三介电层上，

将第二包含Ni和/或Ti的层配置在上述第三包含Ag的层上并与其相接触，以及

将至少一个第四介电层配置在上述第二包含Ni和/或Ti的层上；

其中上述第三包含Ag的层比上述第二包含Ag的层更厚。

12.根据权利要求11所述的能够热处理的涂层制品的制备方法，其特征在于，上述至少一个第一介电层、第二介电层和第三介电层分别包括分别与上述第一包含Ag的层、第二包含Ag的层和第三包含Ag的层的下方直接接触的包含锌的层。

13.根据权利要求11或12所述的能够热处理的涂层制品的制备方法，还包括配置第一含硅层作为上述涂层的最外层。

14.根据权利要求13所述的能够热处理的涂层制品的制备方法，还包括将第二含硅层配置在上述至少一个第一介电层中的最底层，其中上述第一含硅层和第二含硅层包含氮化硅。