[发明专利]包括低辐射涂层的涂层制品、包括涂层制品的中空玻璃装置和/或其制备方法在审

专利信息
申请号: 201280019363.9 申请日: 2012-02-16
公开(公告)号: CN103492337A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 马库斯·弗兰克;安东·迪特里希;格雷格·米勒;理查德·布莱克;穆罕默德·伊姆兰;简-马克·奈莫 申请(专利权)人: 葛迪恩实业公司;玻璃与陶瓷研究股份有限公司卢森堡中心
主分类号: C03C17/36 分类号: C03C17/36
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何冲;王程
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 包括 辐射 涂层 制品 中空玻璃 装置 制备 方法
【说明书】:

本申请要求2011年2月24日提交的美国专利申请系列号61/446,411的优先权,所述申请的全部内容作为参考引用于此。本申请还将题为“包含Ni和/或Ti的阻挡层、包括阻挡层的涂层制品及其制备方法”(Barrier Layers Comprising Ni and/or Ti,Coated Articles Including Barrier Layers,and Methods of Making the Same)的美国专利申请系列号13/064,065(律师代理案号3691-2195),以及题为“包含含Ni三元合金的阻挡层、包括阻挡的的涂层制品及其制备方法”(Barrier Layers Comprising Ni-Inclusive Ternary Alloys,Coated Articles Including Barrier Layers,and Methods of Making the Same)的美国专利申请系列号13/064,064(律师代理案号3691-2315)的全部内容作为参考引用于此。

技术领域

本申请的某些示例性实施方式涉及一种涂层制品,其在低-E涂层中包括至少一个诸如银等的材料的红外(IR)反射层。在某些实施方式中,所述涂层的至少一层由镍和/或钛制成或包含镍和/或钛(例如NixTiy、NixTiyOz等)。在某些示例性实施方式中,提供包含镍钛和/或其氧化物的层可以允许使用良好附着于所述IR反射层并降低可见光的吸收(产生具有较高可见光透射率的涂层制品)的层。在某些示例性实施方式中,当包含镍钛氧化物的层被直接提供在所述IR反射层上方和/或下方(例如作为阻挡层)时,可以产生提高的化学和机械耐久性。因此,在某些示例性实施方式中,如果需要,可以提高可见光透射率,同时降低对耐久性的影响。本文中的涂层制品可用于中空玻璃(IG)窗装置、车辆玻璃的情形中,或用于其他适合的应用例如单片整体窗应用、夹层窗等。

背景技术

已知涂层制品在本技术领域中用于窗应用例如中空玻璃(IG)窗装置、车辆玻璃、单片整体窗等。在某些示例性情形中,涂层制品的设计者通常谋求高可见光透射率、低辐射率(或低发射率)和/或低方块电阻(Rs)的组合。高可见光透射率可以允许将涂层制品用于需要这些特征的应用例如建筑或车辆窗应用中,而低辐射率(低-E)和低方块电阻特征允许这样的涂层制品阻挡显著量的IR辐射,以便降低例如车辆或建筑物内部不想要的加热。因此,通常,对于在建筑玻璃上用于阻断显著量的IR辐射的涂层来说,通常希望在可见光谱中的高透射率。

低-E涂层中的IR反射层正向整个涂层,并且在某些情况下IR反射层是层堆中最敏感的层。不幸的是,包含银的IR反射层有时可能经受来自于沉积过程、随后的大气过程和/或热处理的损伤。在某些情况下,低-E涂层中基于银的层,在将其他层沉积在基于银的层上时,可能需要针对存在的氧进行保护。如果涂层中的IR反射层未得到充分保护,涂层制品的耐久性、可见光透射率和/或其他光学特征可能受损。

因此,本领域技术人员将会认识到,对具有改进的耐久性和改进或基本上不变的光学性质的低-E涂层,存在着需求。

发明内容

本发明的某些示例性实施方式涉及与包含银的IR反射层联合使用的改进的阻挡层材料。在某些情形中,所述改进的阻挡层材料可以允许改进涂层制品的耐久性。在本发明的不同实施方式中,这样的阻挡层可以包括Ni和Ti或其氧化物。

某些示例性实施方式涉及包括由玻璃基材支撑的涂层的涂层制品的制备方法。将至少一个第一介电层配置在上述基材上。将第一包含Ag的层配置在上述至少一个第一介电层。将包含Ni和/或Cr的层配置在上述第一包含Ag的层上并与其相接触。将至少一个第二介电层配置在上述包含Ni和/或Cr的层上。将第二包含Ag的层配置在上述至少一个第二介电层上。将第一包含Ni和Ti的层配置在上述第二包含Ag的层上并与其相接触。将至少一个第三介电层配置在上述第一包含Ni和Ti的层上。将第三包含Ag的层配置在上述至少一个第三介电层上。将第二包含Ni和Ti的层配置在上述第三包含Ag的层上并与其相接触。将至少一个第四介电层配置在上述第二包含Ni和Ti的层上。

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