[发明专利]静电夹盘的氮化铝电介质修复有效
申请号: | 201280020074.0 | 申请日: | 2012-04-16 |
公开(公告)号: | CN103493194A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 小温德尔·G·博伊德;约瑟夫·F·萨默斯;威廉·M·吕;拉扬·巴勒森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 氮化 电介质 修复 | ||
1.一种用于刷新静电夹盘的方法,所述方法包含以下步骤:
测量在静电夹盘主体的上表面下方的电极的深度;
回应于测量的所述深度,确定所述静电夹盘主体的待移除部分的厚度;
移除所述静电夹盘主体的所述部分,以暴露基部表面;
粗糙化所述基部表面;
在粗糙化基部表面上等离子体喷洒电介质材料,以于所述基部表面上形成喷洒材料的电介质层;
压缩所述喷洒材料的电介质层;以及
选择性移除压缩的所述喷洒材料的电介质层中的材料,以建立新的上表面。
2.如权利要求1所述的方法,其中移除所述静电夹盘主体的所述部分以暴露所述基部表面包含于所述上表面上执行抛光工艺。
3.如权利要求2所述的方法,其中粗糙化所述基部表面包含珠击所述基部表面。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述粗糙化基部表面具有介于约50微英寸与300微英寸之间的表面粗糙度。
5.如权利要求4所述的方法,其中移除所述静电夹盘主体的所述部分以暴露所述基部表面包含在所述基部表面与所述电极之间留下约20微米至约25微米的静电夹盘主体。
6.如权利要求5所述的方法,其中压缩所述喷洒材料的电介质层包含使所述喷洒材料的电介质层暴露于高于约1托的压力中。
7.如权利要求6所述的方法,其中选择性移除压缩的所述喷洒材料的电介质层中的材料以建立所述新的上表面包含以下步骤:
于压缩的所述喷洒材料的电介质层上方形成掩模;以及
珠击经由所述掩模而暴露的压缩的所述喷洒材料的电介质层,以形成台面。
8.如权利要求7所述的方法,所述方法还包含研磨所述新的上表面,其中研磨所述新的上表面包含移除所述台面的毛边。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述喷洒材料的电介质层包含氮化铝。
10.如权利要求9所述的方法,其中所述喷洒材料的电介质层另包含氧化钇、氧化铝、氧化钛、氧化钐或上述物质的组合。
11.如权利要求1所述的方法,其中测量在所述静电夹盘的所述上表面下方的所述电极的深度包含测量所述静电夹盘主体在所述电极与所述上表面之间的电容。
12.一种刷新的静电夹盘,包含:
夹盘主体,所述夹盘主体具有一或多个电极及配置在所述夹盘主体上方的一或多层第一电介质层;
第二电介质层,所述第二电介质层配置在所述一或多层第一电介质层上方,所述第二电介质层具有上表面,所述上表面具有以远离所述一或多层第一电介质层的方向而自所述上表面延伸的多个台面,其中所述第二电介质层与所述一或多层第一电介质层是不同的层。
13.如权利要求12所述的夹盘,其中所述第二电介质层包含氮化铝。
14.如权利要求13所述的夹盘,其中所述第二电介质层包含氧化钇、氧化铝、氧化钛、氧化衫或上述物质的组合。
15.如权利要求14所述的夹盘,其中所述一或多层第一电介质层包含氮化铝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造