[发明专利]静电夹盘的氮化铝电介质修复有效
申请号: | 201280020074.0 | 申请日: | 2012-04-16 |
公开(公告)号: | CN103493194A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 小温德尔·G·博伊德;约瑟夫·F·萨默斯;威廉·M·吕;拉扬·巴勒森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 氮化 电介质 修复 | ||
发明背景
发明领域
本发明的实施例一般涉及一种刷新的静电夹盘及一种用于刷新静电夹盘的方法。
相关技术的描述
静电夹盘用于半导体装置制造中。通过使基板静电夹置于夹盘,静电夹盘可使基板在处理期间保持在静电夹盘上的固定位置。
静电夹盘一般具有嵌入在电介质材料中的电极。静电夹盘的最上方表面具有多个台面,其中基板将于处理期间座落在这些台面上。随着时间过去,这些台面会磨损,且静电夹盘将变得无法作用。此外,静电夹盘的电气特性会因电介质材料中的裂痕而受波及,或是因化学或等离子体侵袭而危及电介质材料,导致电介质材料损坏。
当台面磨损时,在电介质材料中即会形成裂痕,或是电介质材料会损坏,静电夹盘即无法使用,且一般会被丢弃。能刷新所述静电夹盘以避免购买新的静电夹盘的花费便是有帮助的。
发明内容
本发明一般涉及一种刷新的静电夹盘与一种用于刷新已使用的静电夹盘的方法。一开始,从已使用的静电夹盘移除预定量的电介质材料,以留下基部表面。接着,粗糙化所述基部表面,以提高新的电介质材料对基部表面的粘着性。接着,在粗糙化表面上喷洒新的电介质材料,然后在新的电介质材料上方放置掩模,以助于形成台面,其中在处理期间基板将座落在所述台面上。接着移除一部分新的电介质层,以形成新的台面。在移除掩模之后,台面的边缘可变得平滑,且经刷新的静电夹盘在清洁之后准备返回作业。
在一个实施例中,一种用于刷新静电夹盘的方法包含以下步骤:测量在静电夹盘的上表面下方的电极的深度;回应于测量的所述深度,确定所述静电夹盘的待移除部分的厚度;以及移除所述静电夹盘的所述部分,以暴露基部表面。所述方法也包含以下步骤:粗糙化所述基部表面;在粗糙化基部表面上等离子体喷洒电介质材料,以于所述基部表面上形成喷洒材料的电介质层;以及压缩所述喷洒材料的电介质层。所述方法另外包含以下步骤:选择性移除压缩的所述喷洒材料的电介质层中的材料,以建立新的上表面,并研磨所述新的上表面。
在另一实施例中,公开了一种用于刷新静电夹盘的方法。所述方法包含以下步骤:测量在静电夹盘主体的上表面下方的电极的深度;回应于测量的所述深度,确定所述静电夹盘主体的待移除部分的厚度;移除所述静电夹盘主体的所述部分,以暴露出基部表面;粗糙化所述基部表面;以及在粗糙化基部表面上配置电介质材料,以于所述基部表面上形成电介质层。
在另一实施例中,一种刷新的静电夹盘包含:夹盘主体,所述夹盘主体具有一或多个电极及配置在所述夹盘主体上方的一或多层第一电介质层以及配置在所述一或多层第一电介质层上方的第二电介质层。所述第二电介质层具有上表面,所述上表面具有以远离所述一或多层第一电介质层的方向而自所述上表面延伸的多个台面。所述第二电介质层与所述一或多层第一电介质层是不同的层。
在另一实施例中,一种刷新的静电夹盘包含多层式静电夹盘主体,其中所述多层式静电夹盘主体的第一层上嵌入有一或多个电极,其中所述多层式静电夹盘主体的第二层选自由烧结电介质层以及以粘着剂接合至所述第一层的电介质层所组成的组,其中所述第二层具有上表面,所述上表面具有以远离所述第一层的方向而自所述上表面延伸的多个台面,且其中所述第二层与所述第一层是不同的层。
附图简要说明
为可详细理解本发明的上述特征,如上简述的本发明的更具体说明可参阅上述实施例而得知,其中部分实施例图示于附图中。然而,应注意附图仅图示本发明的典型实施例,且因此不应被视为限制发明的范围,因为本发明可允许其它等效实施例。
图1A是已使用的静电夹盘在刷新之前的示意上视图。
图1B是图1A的已使用的静电夹盘的截面图。
图2至图7是图1A与图1B的静电夹盘在根据一个实施例的各个刷新阶段的截面图。
图8是图1A与图1B的静电夹盘在根据另一实施例的各个刷新阶段的截面图。
为帮助理解,在图中已尽可能地使用了相同的元件符号来代表图中相同的元件。应知在一个实施例中所公开的元件可有利地用于其它实施例,无须特别叙述。
具体描述
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造