[发明专利]用于数据感测的方法、装置和系统有效
申请号: | 201280020630.4 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN103493139B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 马克·A·赫尔姆;乌黛·钱德拉塞卡尔 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C7/22 | 分类号: | G11C7/22;G11C7/10;G11C29/42 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 数据 方法 装置 系统 | ||
1.一种用于感测数据的方法,其包括:
使用若干不同感测信号对若干存储器单元执行若干感测操作;
确定在所述感测操作之间改变所感测状态的所述存储器单元的数量;以及
至少部分地基于在所述感测操作之间改变所感测状态的所述若干存储器单元的所述所确定的数量,确定输出与所述若干存储器单元相关联的第一数据还是输出与所述若干存储器单元相关联的第二数据。
2.根据权利要求1所述的方法,其中确定数量包括确定在改变状态的所述若干感测操作中的一者与所述若干感测操作中的另一者之间改变状态的数量,且进一步包含响应于所述所确定的数量小于阈值的确定而输出所述第一数据,其中所述第一数据对应于在所述感测操作中的所述一者期间所感测的数据或在所述感测操作中的所述另一者期间所感测的数据。
3.根据权利要求2所述的方法,其包含在所述存储器单元的所述所确定的数量大于所述阈值的情况下输出所述第二数据。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法,其中对所述若干存储器单元执行所述若干感测操作包含用增量小于200mV的若干不同感测电压感测所述存储器单元。
5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法,其中对所述若干存储器单元执行所述若干感测操作包含用在所述若干不同感测电压之间具有相等增量的感测电压进行感测。
6.根据权利要求2所述的方法,其中输出所述第一数据包括将硬数据输出到外部控制器。
7.根据权利要求3所述的方法,其中输出所述第二数据包含将软数据输出到使用所述软数据执行高级错误校正码ECC操作的外部控制器。
8.根据权利要求3所述的方法,其进一步包括使用高级ECC以用所述第二数据校正所述第一数据。
9.根据权利要求3所述的方法,其中所述方法进一步包含在输出所述第二数据之前将所述第二数据存储在包含所述存储器单元的存储器装置中。
10.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括使用常规ECC来校正所述第一数据。
11.一种用于感测数据的方法,其包括:
确定在第一感测电压下感测若干存储器单元与在第二感测电压下感测所述若干存储器单元之间从第一状态改变为第二状态的存储器单元的第一数量;
确定在所述第二感测电压下感测所述若干存储器单元与在第三感测电压下感测所述若干存储器单元之间从所述第一状态改变为所述第二状态的存储器单元的第二数量;以及
在存储器单元的所述第二数量大于存储器单元的所述第一数量时,输出对应于所述第一感测电压或所述第二感测电压的硬数据以及对应于所述第一感测电压或所述第二感测电压中的另一者和/或所述第三感测电压的软数据。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述方法进一步包含确定在所述第三感测电压下感测所述若干存储器单元与在第四感测电压下感测所述若干存储器单元之间从所述第一状态改变为所述第二状态的存储器单元的第三数量;以及
确定在所述第四感测电压下感测所述若干存储器单元与在第五感测电压下感测所述若干存储器单元之间从所述第一状态改变为所述第二状态的存储器单元的第四数量,其中输出对应于所述第一感测电压或所述第二感测电压的硬数据进一步包含在第三数量和所述第四数量也大于所述第一数量时,输出对应于所述第一感测电压或所述第二感测电压的所述硬数据。
13.根据权利要求12所述的方法,其中输出所述软数据也包含输出对应于所述第四感测电压和/或所述第五感测电压的软数据。
14.根据权利要求11到13中任一权利要求所述的方法,其中输出硬数据和软数据包含将硬数据和软数据输出到外部控制器。
15.根据权利要求11到13中任一权利要求所述的方法,其进一步包含使用高级ECC操作以使用软数据校正所述硬数据。
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