[发明专利]基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置无效
申请号: | 201280020720.3 | 申请日: | 2012-04-30 |
公开(公告)号: | CN103493195A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 许官善;朴珠泳;赵炳镐 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑 以及 使用 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置,其通过在基板上设置多个支撑销来支撑基板。
背景技术
基板处理装置应用于平板显示器的生产,并大致分为蒸镀(Vapor Deposition)装置和退火(Annealing)装置。
蒸镀装置作为形成构成平板显示器核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层或硅层的装置,分为低压化学气相沉积(LPCVD:Low Pressure Chemical Vapor Deposition)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD:Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)等方式的化学蒸镀装置和溅射(Sputtering)等方式的物理蒸镀装置。
退火装置在基板上蒸镀膜以后,提高蒸镀后的膜的特性,是对蒸镀后的膜进行结晶化或相变化的热处理装置。
通常,热处理装置分为对一个基板进行热处理的单片式(Single Substrate Type)热处理装置和对多个基板进行热处理的批处理式(Batch Type)热处理装置。虽然单片式热处理装置结构简单,但生产率较低,因此,在大批量的生产中多使用批处理式热处理装置。
批处理式热处理装置包括提供热处理空间的腔室,在腔室内必须使用对装载于腔室的多个基板提供支撑的板状的托板。
但是,由于现有的基板处理装置是基板的下表面直接接触和支撑于托板的上表面,这样,由于所述托板的潜热,提高基板温度或冷却基板需要很长的时间,导致生产率下降。
此外,需要其他的装置从所述托板隔离出接触于所述托板的所述基板,因此导致成本上升。
发明内容
技术问题
本发明是为了解决上述的现有技术的问题点而提出的,本发明的目的在于提供一种基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置,通过在托板上设置多个支撑销来支撑基板,从而能够提高生产率,同时可节约成本。解决问题的手段
为了实现上述目的,本发明的基板支撑用的支撑板包括:托板;多个支撑销,可拆卸地结合于所述托板用以支撑基板。
此外,为了实现上述目的,本发明的基板处理装置包括:本体,提供用于投入基板并进行处理的腔室;多个支架,其设置在所述腔室的内部;基板支撑用的支撑板,其具备:多个托板,上下隔着间隔,并支撑于所述支架;
多个支撑销,可拆卸地结合于所述托板用以支撑所述基板。
发明效果
本发明的基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置,基板接触和支撑在可拆卸地结合于托板的支撑销上,而支撑销对基板的升温或冷却带来微小的影响,因此对基板进行升温或冷却所需要的时间较短,从而提高基板处理的生产率。
此外,由于基板处于隔离于托板的状态,因此,无需用于从托板隔离基板的其他装置,从而节约成本。
附图说明
图1是本发明一实施例的基板处理装置的概略立体图。
图2是图1所示的支架和支撑板的立体图。
图3是图2所示的支撑板的立体图。
图4是图3的“A-A”线的剖视图。
图5是本发明的另一实施例的支撑板的立体图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的特定实施例进行详细说明。通过这些实施例,所属领域的技术人员能够充分实施本发明。本发明的多种实施例虽然有所不同,但不应理解为相互排斥。例如,记载于此的一实施例的特定的形状、特征以及特性,在不超过本发明的精神以及范围的基础上,可以以其他实施例的形式体现。此外,应理解为,每个公开的实施例中的个别的构成要素的位置或设置,可以在不超过本发明的精神以及范围的情况下进行变更。因此,后述的详细的说明并非旨在限定,确定地讲,本发明的范围只限定于所有权利要求中以及其等同范围。为了便于说明,附图所示的实施例的长度、面积以及厚度及形态可能夸大表示。
以下参考附图来详细说明本发明的基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置。
本实施例的说明中,基板的处理应理解为包括:加热以及冷却基板的工艺;在基板上蒸镀规定的膜的所有工艺;对蒸镀在基板上的规定的膜进行退火、结晶化或相变化的所有热处理工艺。
图1是本发明的一实施例的基板处理装置的概略立体图,图2是图1所示的支架和支撑板的立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造