[发明专利]充电构件、充电构件的制造方法、电子照相设备和处理盒

权利要求书

1.一种充电构件，其包含：

支承体，

弹性层，和

表面层，

其中：

所述表面层包含具有如下键的高分子化合物：

选自Si-O-M键和Si-O-Ta键的至少一种键，

选自M-O-Ge键和Ta-O-Ge键的至少一种键，和

Si-O-Ge键；

所述高分子化合物具有

由下式(1)表示的结构单元，

由下式(2)表示的结构单元，和

选自由下式(3)表示的结构单元和由下式(4)表示的结构单元的至少一种结构单元，并且

所述充电构件具有从其表面延伸到所述弹性层的龟裂，并且所述龟裂具有凸状隆起的边缘，由此使所述充电构件的表面粗糙，

条件是M表示选自由Ti、Zr和Hf组成的组的任意元素：

式(1)

在式(1)中，R₁和R₂各自独立地表示下式(5)至(8)中的任何一个：

式(5)

式(6)

式(7)

式(8)

在式(5)至(8)中，R₃至R₇、R₁₀至R₁₄、R₁₉、R₂₀、R₂₅和R₂₆各自独立地表示氢原子、具有1个以上且4个以下碳原子的烷基、羟基、羧基或者氨基，R₈、R₉、R₁₅至R₁₈、R₂₃、R₂₄和R₂₉至R₃₂各自独立地表示氢原子或者具有1个以上且4个以下碳原子的烷基，R₂₁、R₂₂、R₂₇和R₂₈各自独立地表示氢原子、具有1个以上且4个以下碳原子的烷氧基或者具有1个以上且4个以下碳原子的烷基，n、m、l、q、s和t各自独立地表示1以上且8以下的整数，p和r各自独立地表示4以上且12以下的整数，x和y各自独立地表示0或者1，并且*和**分别表示键合到式(1)中的硅原子和氧原子的位置：

式(2)

Ge04/2

式(3)

MO4/2

式(4)

Ta05/2

在式(3)中，M表示选自由Ti、Zr和Hf组成的组的任意元素。

2.根据权利要求1所述的充电构件，其中在所述高分子化合物中，式(1)中的R₁和R₂各自独立地表示下式(9)至(12)中的任一个：

式(9)

式(10)

式(11)

式(12)

在式(9)至(12)中，N、M、L、Q、S和T各自独立地表示1以上且8以下的整数，x'和y'各自独立地表示0或1，并且*和**分别表示键合到式(1)中的硅原子和氧原子的位置。

3.根据权利要求1或2所述的充电构件，其中所述高分子化合物中M、Ta和Ge原子数的总和与硅原子数的比“(M+Ta+Ge)/Si”为0.10以上且12.50以下。