[发明专利]用于制备含钴烃合成催化剂前体的方法

权利要求书

1.一种用于制备含钴烃合成催化剂前体的方法，所述方法包括煅烧包含负载钴化合物之催化剂载体的负载型催化剂载体，所述煅烧包括在90℃至220℃的加热温度范围中使用以下过程来加热所述负载型催化剂载体：

在所述加热温度范围中进行所述加热期间的一个或更多个高加热速率阶段，其中加热所述负载型催化剂载体以至少10℃/分钟的加热速率进行，并且其中对所述负载型催化剂载体施加至少5m³_n/kg钴化合物/小时的气体速度；和

在所述加热温度范围中进行所述加热期间的一个或更多个低加热速率阶段，其中加热所述负载型催化剂载体以小于6℃/分钟的加热速率进行，从而煅烧所述钴化合物，并且产生含钴烃合成催化剂前体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述一个或更多个高加热速率阶段中的所述加热使所述负载型催化剂载体的温度增加至少10℃。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述一个或更多个高加热速率阶段仅覆盖90℃至220℃的所述加热温度范围的一部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述一个或更多个高加热速率阶段在90℃至220℃的所述加热温度范围的至少50%中进行。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其采用两个或更多个高加热速率阶段，并且在所述高加热速率阶段的至少一个之后紧跟着低加热速率阶段。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述一个或更多个低加热速率阶段覆盖没有被所述一个或更多个高加热速率阶段覆盖的所述加热温度范围。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述一个或更多个高加热速率阶段期间的所述煅烧在Torbed（商标名）反应器中进行。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述煅烧也在高于220℃下进行，并且所述一个或更多个高加热速率阶段在高于90℃的整个加热温度范围的至少50%中进行。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述一个或更多个高加热速率阶段期间的所述加热速率为至少15℃/分钟。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述一个或更多个高加热速率阶段期间所述气流的空间速度为至少10m³_n/kg钴化合物/小时。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中也在所述一个或更多个低加热速率阶段期间施加通过所述负载型催化剂载体的气流。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述一个或更多个低加热速率阶段期间所述气流的空间速度为至少5m³_n/kg钴化合物/小时。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述一个或更多个低加热速率阶段期间所述气流的所述空间速度与所述高加热速率阶段期间所述气流的所述空间速度相同。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中所述一个或更多个低加热速率阶段期间的所述加热速率小于5℃/分钟。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中在高于120℃并且低于190℃的所述加热温度范围中设置至少一个低加热速率阶段。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其采用在第一加热温度范围的至少一部分持续的至少一个高加热速率阶段；在高于所述第一加热温度范围之温度范围的第二加热温度范围的至少一部分持续的至少一个高加热速率阶段；以及在所述第一温度范围中的所述高加热速率阶段与所述第二温度范围中的所述高加热速率阶段之间的至少一个低加热速率阶段。