[发明专利]用于静电释放保护的设备

权利要求书

1.一种设备，包括：

电耦接在第一节点和第二节点之间的内部电路；以及

电耦接在第一节点和第二节点之间的保护装置，其中保护装置被配置成保护内部电路以防止瞬间电事件，保护装置包括：

具有阳极、栅极和阴极的硅控整流器(SCR)，其中节点电耦接至第一节点，阴极电耦接至第二节点；以及

二极管阵列，其包括串行连接在硅控整流器的栅极和阳极之间的多个二极管，并且所述多个二极管被布置成使得当二极管击穿时二极管向SCR传导电流以使得SCR导通。

2.根据权利要求1所述的设备，其中SCR包括：

具有发射极、基极和集电极的PNP双极型晶体管，其中PNP双极型晶体管的发射极电耦接至第一节点，其中PNP双极型晶体管的集电极形成了SCR的栅极；以及

具有发射极、基极和集电极的NPN双极型晶体管，其中NPN双极型晶体管的发射极电耦接至第二节点，其中NPN双极型晶体管的基极电耦接至PNP双极型晶体管的集电极，其中NPN双极型晶体管的集电极电耦接至PNP双极型晶体管的基极。

3.根据权利要求1所述的设备，其中SCR包括：

具有第一类型的掺杂的衬底(810)；

第一阱(820)，其布置在衬底的第一上部部分中，并具有不同于第一类型的第二类型的掺杂；

第二阱(830)，其布置在衬底(810)的第二上部部分中，并与第一阱横向隔开以使得衬底(810)的第三上部部分横向地插在第一和第二阱之间，第二阱具有第二类型的掺杂，第三上部部分具有第一类型的掺杂；

布置在第一阱的顶部中的第一区域，其具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第一阱，第一区域电耦接至第二节点；

布置在第二阱的顶部中的第二区域，其具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第二阱；

第三区域，其布置在第一阱中与第一区域邻接以使得第三区域横向地插在第一区域和衬底的第三上部部分之间，第三区域具有第一类型的掺杂且掺杂浓度高于衬底；

第四区域，其布置在第二阱中与第二区域域邻接以使得第四区域横向地插在第二区域和衬底的第三上部部分之间，第四区域具有第一类型的掺杂且掺杂浓度高于衬底，第四区域电耦接至第一节点；以及

栅极接触部，其布置在衬底的第三上部部分上。

4.一种设备，包括：

电耦接在第一节点和第二节点之间的内部电路；以及

电耦接在第一节点和第二节点之间的保护装置，其中保护装置被配置成保护内部电路以防止瞬间电事件，保护装置包括：

硅控整流器(SCR)，其具有阳极、栅极和阴极，其中阳极电耦接至第一节点，阴极电耦接至第二节点；以及

电阻器，其电耦接在SCR的栅极和阴极之间。

5.根据权利要求4所述的设备，其中SCR包括：

具有第一类型的掺杂的衬底；

第一阱，其布置在衬底的第一上部部分中，并具有不同于第一类型的第二类型的掺杂；

第二阱，其布置在衬底的第二上部部分中，并与第一阱横向隔开以使得衬底(810)的第三上部部分横向地插在第一和第二阱之间，第二阱具有第二类型的掺杂，第三上部部分具有第一类型的掺杂；

布置在第一阱的顶部中的第一区域，其具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第一阱，第一区域电耦接至第二节点；

布置在第二阱的顶部中的第二区域，其具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第二阱；

第三区域，其布置在第一阱中与第一区域邻接以使得第三区域横向地插在第一区域和衬底的第三上部部分之间，第三区域具有第一类型的掺杂且掺杂浓度高于衬底；

第四区域，其布置在第二阱中与第二区域域邻接以使得第四区域横向地插在第二区域和衬底的第三上部部分之间，第四区域具有第一类型的掺杂且掺杂浓度高于衬底，第四区域电耦接至第一节点；以及

栅极接触部，其布置在衬底的第三上部部分上。