[发明专利]用于静电释放保护的设备

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及电子装置，更具体地说在一个或多个实施例中涉及静电释放保护。

背景技术

电子系统可能暴露至瞬间电事件，或者暴露至具有相对短持续时间、相对较快的变化电压和高功率的电信号。例如，瞬间电事件可包括电荷从物体或人向电子系统的突然释放而引起的静电释放（ESD/EOS）事件。

瞬间电事件可能由于相对于较小面积的集成电路（IC）的过压情况和高程度的功耗而损坏电子系统内的IC。高功耗可增大电路温度，并导致大量问题，例如栅氧击穿、结损坏、金属损坏和表面电荷累计。而且，瞬间电事件可引起封闭(低阻抗路径的不利出现)，从而使得IC的功能混乱并且由于封闭电流路径中的自热而潜在地导致了对IC的永久损害。因此，需要提供一种具有针对这种瞬间电事件的保护的IC。

发明内容

在一个实施例中，一种设备，包括：电耦接在第一节点和第二节点之间的内部电路；以及电耦接在第一节点和第二节点之间的保护装置。保护装置被配置成保护内部电路以防止瞬间电事件。保护装置包括：具有第一类型的掺杂的埋层510；位于埋层上方的第一塞体540，并具有第一类型的掺杂，且掺杂浓度高于埋层，第一塞体具有从保护装置俯视看到的环形；埋层上方的第一阱520，其被第一塞体横向环绕，第一阱具有第一类型的掺杂且掺杂浓度低于第一塞体的掺杂浓度；横向环绕第一塞体的第二塞体530，第二塞体具有不同于第一类型的第二类型的掺杂；第一区域550，其至少部分地处于与埋层相对的第一阱520的端部中，而且电耦接至第一节点，第一区域具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第二塞体530的掺杂浓度；处于第二塞体530的顶部中的第二区域560，其电耦接至第二节点，第二区域具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第二塞体的掺杂浓度；以及电阻器，其电耦接在第一区域550和第一塞体540之间，其中电阻器处于第一区域和第一塞体的外部。

在另一实施例中，一种设备包括：电耦接在第一节点和第二节点之间的内部电路；以及电耦接在第一节点和第二节点之间的保护装置，其中保护装置被配置成保护内部电路以防止瞬间电事件。保护装置包括：具有第一类型的掺杂的埋层；直接位于埋层上方的第一塞体，并具有第一类型的掺杂，且掺杂浓度高于埋层的掺杂浓度，第一塞体具有俯视看到的环形；直接位于埋层上方的第一阱，其被第一塞体横向环绕，第一阱具有第一类型的掺杂且掺杂浓度低于第一塞体的掺杂浓度；横向环绕第一塞体的第二塞体，第二塞体具有不同于第一类型的第二类型的掺杂；第一区域，其至少部分地处于与埋层相对的第一阱520的端部中，而且电耦接至第一节点，第一区域具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第二塞体的掺杂浓度；处于第二塞体的顶部中的第二区域，其电耦接至第二节点，第二区域具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第二塞体的掺杂浓度。

在又一实施例中，一种设备包括：电耦接在第一节点和第二节点之间的内部电路；以及电耦接在第一节点和第二节点之间的保护装置，其中保护装置被配置成保护内部电路以防止瞬间电事件。保护装置包括：具有第一类型的掺杂的埋层；位于埋层上方的第一塞体，并具有第一类型的掺杂，且掺杂浓度高于埋层的掺杂浓度，第一塞体具有俯视看到的环形；位于埋层上方的第一阱，其被第一塞体横向环绕，第一阱具有第一类型的掺杂且掺杂浓度低于第一塞体的掺杂浓度；横向环绕第一塞体的第二塞体，第二塞体具有不同于第一类型的第二类型的掺杂；第一区域，其处于第一阱的顶部中，而且电耦接至第一节点，第一区域具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第二塞体的掺杂浓度；处于第二塞体的顶部中的第二区域，其电耦接至第二节点，第二区域具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第二塞体的掺杂浓度；以及二极管阵列，其包括串行连接在第一塞体和第二区域之间的一个或多个二极管。