[发明专利]导电膜用原材料、导电膜层叠体、电子仪器及它们的制造方法

权利要求书

1.导电膜用原材料，其特征在于，包括：

透明基材；

第一非晶质层，该第一非晶质层层叠在所述透明基材上，由含有以氧化物换算为2质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成；

第二非晶质层，该第二非晶质层层叠在所述第一非晶质层上，由含有以氧化物换算为2质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成，且锡的以氧化物换算的含量与所述第一非晶质层中的锡的以氧化物换算的含量不同。

2.如权利要求1所述的导电膜用原材料，其特征在于，所述第一非晶质层和所述第二非晶质层中，锡的以氧化物换算的含量较多的一方的层中的锡的以氧化物换算的含量为5质量％以上15质量％以下，锡的以氧化物换算的含量较少的一方的层中的锡的以氧化物换算的含量为2质量％以上且少于7质量％。

3.如权利要求1或2所述的导电膜用原材料，其特征在于，将所述第一非晶质层和所述第二非晶质层中锡的以氧化物换算的含量较多的一方的层的厚度设为a[nm]、将锡的以氧化物换算的含量较少的一方的层的厚度设为b[nm]时，它们的总厚度a+b满足15≤a+b≤50。

4.如权利要求1～3中任一项所述的导电膜用原材料，其特征在于，将所述第一非晶质层和所述第二非晶质层中锡的以氧化物换算的含量较多的一方的层的厚度设为a[nm]、将锡的以氧化物换算的含量较少的一方的层的厚度设为b[nm]时，满足b≥12-a/2。

5.如权利要求1～4中任一项所述的导电膜用原材料，其特征在于，所述第一非晶质层中的锡的以氧化物换算的含量比所述第二非晶质层中的锡的以氧化物换算的含量多。

6.如权利要求1～5中任一项所述的导电膜用原材料，其特征在于，在所述透明基材和所述第一非晶质层之间具有硅氧化物层。

7.如权利要求1～6中任一项所述的导电膜用原材料，其特征在于，所述第一非晶质层和所述第二非晶质层通过热处理而结晶化。

8.如权利要求1～7中任一项所述的导电膜用原材料，其特征在于，所述透明基材是聚对苯二甲酸乙二醇酯。

9.导电膜层叠体，其特征在于，包括：

透明基材；

第一结晶性层，该第一结晶性层层叠在所述透明基材上，由含有以氧化物换算为2质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成；

第二结晶性层，该第二结晶性层层叠在所述第一结晶性层上，由含有以氧化物换算为2质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成，且锡的以氧化物换算的含量与所述第一结晶性层中的锡的以氧化物换算的含量不同。

10.电子仪器，其特征在于，具有权利要求9所述的导电膜层叠体。

11.导电膜用原材料的制造方法，其特征在于，包括：

第一成膜工序，该工序中，在透明基材上使用由含有以氧化物换算为5质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成的第一溅射靶材通过溅射法形成第一非晶质层；

第二成膜工序，该工序中，在所述第一非晶质层的表面上直接使用由含有以氧化物换算为2质量％以上且少于7质量％的锡的铟锡氧化物构成的第二溅射靶材通过溅射法形成第二非晶质层；

其中，第二溅射靶材中的锡的以氧化物换算的含量与第一溅射靶材中的锡的以氧化物换算的含量不同。

12.导电膜层叠体的制造方法，其特征在于，包括：

原材料制造工序，该工序中，通过权利要求11所述的制造方法来制造导电膜用原材料；

热处理工序，该工序中，对所述导电膜用原材料进行热处理，使所述第一非晶质层和所述第二非晶质层结晶化。

13.如权利要求12所述的导电膜层叠体的制造方法，其特征在于，所述热处理工序在温度100～170℃下进行30～180分钟。