[发明专利]导电膜用原材料、导电膜层叠体、电子仪器及它们的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及导电膜用原材料、导电膜层叠体、电子仪器及导电膜用原材料或导电膜层叠体的制造方法。

背景技术

透明导电膜由于具有导电性和光学透明性，因此被用作透明电极、电磁波屏蔽膜、面状发热膜、防反射膜等，近年来作为触摸屏用电极受到关注。触摸屏有电阻膜式、电容耦合式、光学式等多种方式。透明导电膜例如在通过上下电极的接触来确定触摸位置的电阻膜式、感知电容变化的电容耦合方式等中使用。电阻膜式中使用的透明导电膜在工作原理上由于透明导电膜之间要进行机械接触，因此要求高耐久性。此外，电容耦合方式或一部分电阻膜式中使用的透明导电膜由于要通过蚀刻形成多个透明电极来获得特定的图案，因此要求蚀刻性良好。

此外，透明导电膜由于配置在显示部的前表面，因此要求高光透射率。

作为改善了耐久性和光透射率的透明导电膜，例如已知在透明基材的一个表面上依次形成有作为非晶质膜的第一铟锡氧化物层、作为结晶化膜的第二铟锡氧化物层的透明导电膜。这里，已知第一铟锡氧化物层中的锡的含量以氧化物换算为5～20重量％，第二铟锡氧化物层中的锡的含量以氧化物换算为1～4重量％(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2010-61942号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

透明导电膜要求高耐久性，通过使其呈结晶性，可提高耐久性。但是，在透明导电膜上有时要通过蚀刻形成多个透明电极，如果呈结晶性，则难以通过蚀刻进行透明电极的形成。例如，透明导电膜呈结晶性的情况下，因为蚀刻速率降低，所以透明电极的形成耗费时间，而且透明电极的形状可能无法成为所要的形状。

从通过蚀刻形成透明电极等的观点来看，较好是首先形成容易蚀刻的非晶质膜，对该非晶质膜进行蚀刻而形成透明电极后，通过热处理使其结晶化。此时，要求非晶质膜通过热处理容易地结晶化。此外，也要求非晶质膜在结晶化时的比电阻低。比电阻低的情况下，即使膜薄，也能使薄膜电阻处于良好的范围内。透明导电膜要求高透射率，通过减小膜厚，能得到高透射率。

例如是含有以氧化物换算为10质量％的锡的铟锡氧化物的情况下，与含有3质量％的锡的铟锡氧化物相比，结晶化时的比电阻大幅减小，容易使薄膜电阻处于良好的范围内。但是，膜薄的情况下，前者比后者更难结晶化。此外，例如是含有以氧化物换算为3质量％的锡的铟锡氧化物的情况下，可以通过膜厚的增加而减小薄膜电阻，但随着膜厚的增加，透射率降低。此外，即使膜厚在优选范围内，在膜厚不同的情况下，光学特性也会变化，需要进行使用该膜的光学零部件和机器的再调整。

本发明是为了解决上述课题而完成的发明，其目的是提供一种能得到具有结晶性、且厚度和薄膜电阻处于良好的范围内的透明导电膜的导电膜用原材料，以及提供一种具备具有结晶性、且厚度和薄膜电阻处于良好的范围内的透明导电膜的导电膜层叠体及具有该导电膜层叠体的电子仪器。

本发明的目的还在于提供上述导电膜用原材料及导电膜层叠体的制造方法。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的导电膜用原材料包括透明基材、第一非晶质层和第二非晶质层。第一非晶质层层叠在透明基材上，由含有以氧化物换算为2质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成。第二非晶质层层叠在第一非晶质层上，由含有以氧化物换算为2质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成，且锡的以氧化物换算的含量与第一非晶质层中的锡的以氧化物换算的含量不同。

本发明的导电膜层叠体包括透明基材、第一结晶性层和第二结晶性层。第一结晶性层层叠在透明基材上，由含有以氧化物换算为2质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成。第二结晶性层层叠在第一结晶性层上，由含有以氧化物换算为2质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成，且锡的以氧化物换算的含量与第一结晶性层中的锡的以氧化物换算的含量不同。

本发明的电子仪器的特征在于，具有上述本发明的导电膜层叠体。

本发明的导电膜用原材料的制造方法包括第一成膜工序和第二成膜工序。第一成膜工序是在透明基材上使用由含有以氧化物换算为5质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成的第一溅射靶材通过溅射法形成第一非晶质层。第二成膜工序是在第一非晶质层的表面上直接使用由含有以氧化物换算为2质量％以上且少于7质量％的锡的铟锡氧化物构成的第二溅射靶材通过溅射法形成第二非晶质层。另外，第二溅射靶材中的锡的以氧化物换算的含量与第一溅射靶材中的锡的以氧化物换算的含量不同。