[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第1导电类型的碳化硅半导体基板（20）；

第1导电类型的碳化硅漂移层（21），形成于所述碳化硅半导体基板（20）上；

第2导电类型的第1阱区域（41），在所述碳化硅漂移层（21）表层相互离开地形成而构成多个元件单元；

栅绝缘膜（30），至少在所述碳化硅漂移层（21）以及各所述第1阱区域（41）上跨越地形成；

栅电极（50），选择性地形成于所述栅绝缘膜（30）上；

源极接触孔（61），贯通所述栅绝缘膜（30），到达至各所述第1阱区域（41）内部；以及

压缩应力残留层（90），形成于所述源极接触孔（61）的至少侧面，且残留压缩应力。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备第1导电类型的源极区域（80），该第1导电类型的源极区域（80）被选择性地形成于各所述第1阱区域（41）表层，

所述栅绝缘膜（30）在所述源极区域（80）上跨越地形成，

所述源极接触孔（61）到达至所述源极区域（80）内部的距所述碳化硅漂移层（21）表层的深度深于5nm的深度。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

还具备第2导电类型的阱接触区域（46），该第2导电类型的阱接触区域（46）被选择性地形成于各所述第1阱区域（41）表层，俯视时被所述源极区域（80）包围，

所述源极接触孔（61）到达至所述阱接触区域（46）内部的距所述碳化硅漂移层（21）表层的深度深于5nm的深度。

4.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

所述压缩应力残留层（91、92、100）形成于所述源极接触孔（61）的底面。

5.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

还具备层间绝缘膜（32），该层间绝缘膜（32）是覆盖所述栅绝缘膜（30）以及所述栅电极（50）而形成的，

所述压缩应力残留层（92、100）还形成于所述层间绝缘膜（32）上表面。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述压缩应力残留层（92）形成于所述源极接触孔（61）的底面，

在所述压缩应力残留层（92）上，层叠了与所述压缩应力残留层（92）不同的电极材料（102）。

7.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

单元区域，配置有多个所述元件单元；以及

第2导电类型的第2阱区域（42），在所述碳化硅漂移层（21）表层中，俯视时包围所述单元区域地形成，

所述栅绝缘膜（30）是在所述第2阱区域（42）上延伸地形成的。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

还具备场绝缘膜（31），该场绝缘膜（31）是在所述碳化硅漂移层（21）上、俯视时包围所述栅绝缘膜（30）而形成的，

所述栅电极（50）是在所述场绝缘膜（31）上延伸地形成的，

该半导体装置还具备栅极接触孔（64），该栅极接触孔（64）到达所述场绝缘膜（31）上的所述栅电极（50），

所述压缩应力残留层（90）与在所述源极接触孔（61）中形成的形态对应地，在所述栅极接触孔（64）中也被形成。

9.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述压缩应力残留层（90）中，残留32MPa以上的压缩应力。

10.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

所述压缩应力残留层（90）由包含Ti的1层以上的层叠膜构成。

11.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

所述压缩应力残留层（90）由具备包含Al的层以及包含Ti的层的层叠膜构成。

12.一种权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备以到达至所述源极区域（80）内部的距所述碳化硅漂移层（21）表层的深度深于5nm的深度的方式蚀刻形成所述源极接触孔（61）的工序。