[发明专利]发光分析装置

权利要求书

1.一种发光分析装置，具备：

第1光强度计算部，通过将由分光计测器计测出的表示容器内的每个波长的光强度的分光光谱利用多项式近似，计算上述容器内的每个波长的光强度；

第2光强度计算部，通过按每个波长从由上述分光计测器计测出的上述分光光谱所表示的光强度减去上述第1光强度计算部计算出的光强度，计算与分子或原子的亮线光谱对应的光强度；以及

比计算部，使用上述第2光强度计算部计算出的光强度，计算第1分子的分子光谱或第1原子的原子光谱的峰值与第2分子的分子光谱或第2原子的原子光谱的峰值之比。

2.如权利要求1所述的发光分析装置，

上述第1光强度计算部通过将由上述分光计测器计测出的表示等离子化学气相沉积装置即等离子CVD装置的上述容器内的每个波长的光强度的上述分光光谱利用多项式近似，计算存在于上述等离子CVD装置内的等离子释放的光的每个波长的光强度；

上述第2光强度计算部通过按每个波长从由上述分光计测器计测出的上述分光光谱所表示的光强度减去上述第1光强度计算部计算出的上述等离子释放的光的光强度，计算与分子或原子的亮线光谱对应的、成膜在基板上的薄膜的分子或原子的发光的光强度。

3.如权利要求1或2所述的发光分析装置，

还具备波长取得部，该波长取得部取得第1波长、大于上述第1波长的第2波长、大于上述第2波长的第3波长、以及大于上述第3波长的第4波长；

上述第1光强度计算部（a）通过对由上述分光计测器计测出的上述分光光谱中的作为从上述第1波长到上述第2波长的波段的第1波段所包含的分光光谱、以及由上述分光计测器计测出的上述分光光谱中的作为从上述第3波长到上述第4波长的波段的第2波段所包含的分光光谱进行规定的函数的拟合，计算作为从上述第1波段所包含的第1规定波长到上述第2波段所包含的第2规定波长的波段的第3波段的光的光强度，（b）通过将上述第3波段中的计算出的光强度和上述第3波段以外的波段中的上述分光光谱利用多项式近似，计算上述容器内的每个波长的光强度。

4.如权利要求3所述的发光分析装置，

上述第1光强度计算部还在各波长的光强度中从与近似的上述多项式的差大的光强度起除去规定的比例的光强度之后，再次将上述第3波段中的计算出的光强度和上述第3波段以外的波段中的上述分光光谱利用多项式近似。

5.如权利要求1或2所述的发光分析装置，

还具备波长取得部，该波长取得部取得第1波长、大于上述第1波长的第2波长、大于上述第2波长的第3波长、以及大于上述第3波长的第4波长；

上述第1光强度计算部通过对由上述分光计测器计测出的上述分光光谱中的作为从上述第1波长到上述第2波长的波段的第1波段所包含的分光光谱、以及由上述分光计测器计测出的上述分光光谱中的作为从上述第3波长到上述第4波长的波段的第2波段所包含的分光光谱进行规定的函数的拟合，计算作为从上述第1波段所包含的第1规定波长到上述第2波段所包含的第2规定波长的波段的第3波段的光的光强度；

上述第2光强度计算部通过在上述第3波段中按每个波长从由上述分光计测器计测出的上述分光光谱所表示的光强度减去上述第1光强度计算部计算出的光强度，计算与分子或原子的亮线光谱对应的光强度。

6.如权利要求3～5中任一项所述的发光分析装置，

上述第1光强度计算部通过对由上述分光计测器计测出的上述分光光谱中的作为从上述第1波长到上述第2波长的波段的第1波段所包含的分光光谱进行直线拟合，计算第1直线，通过对由上述分光计测器计测出的上述分光光谱中的作为从上述第3波长到上述第4波长的波段的第2波段所包含的分光光谱进行直线拟合，计算第2直线，通过将上述第1直线上的上述第1规定波长的点与上述第2直线上的上述第2规定波长的点用直线连结，计算第3波段的光的光强度。

7.如权利要求6所述的发光分析装置，

上述第1规定波长是（上述第1波长+上述第2波长）/2；

上述第2规定波长是（上述第3波长+上述第4波长）/2。

8.如权利要求3～5中任一项所述的发光分析装置，

上述第1规定波长是第2波长；

上述第2规定波长是第3波长。