[发明专利]发光分析装置

说明书

技术领域

本发明涉及发光分析装置，特别涉及分析由分光计测器计测出的容器内的发光状态的发光分析装置。

背景技术

在使用等离子CVD装置的成膜时，抑制称作粉末（powder）的微粒子的发生是重要的（例如，参照特开2004－296526号公报）。为了抑制该粉末的发生，测定基板温度是重要的，但难以直接测定基板温度。因此，计算与基板温度关联的、成膜在基板上的Si*的发光强度与SiH*的发光强度之比（“*”是原子的价数）。以往的等离子CVD装置控制向等离子CVD装置的气体流量，以使计算出的比为一定，抑制了粉末的发生。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2004－296526号公报

发明概要

发明要解决的问题

但是，在等离子CVD装置内，不仅是基板，还存在等离子状态的原料气体，该原料气体发光，所以难以仅观测成膜在基板上的薄膜的分子或原子的发光强度（分子光谱或原子光谱）。因此，难以正确地计算特定的两个分子或原子的发光强度比。

这样的问题并不限定于等离子CVD装置，而共通地存在于溅射装置、蚀刻装置或杀菌监视装置等的需要计算容器内的两种分子或原子的发光强度比的装置中。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而做出的，目的是提供一种能够正确地计算特定的两个分子或原子的发光强度比的发光分析装置。

用于解决问题的手段

为了达到上述目的，有关本发明的一技术方案的发光分析装置具备：第1光强度计算部，通过将由分光计测器计测出的表示容器内的每个波长的光强度的分光光谱利用多项式近似，计算上述容器内的每个波长的光强度；第2光强度计算部，通过按每个波长从由上述分光计测器计测出的上述分光光谱所表示的光强度减去上述第1光强度计算部计算出的光强度，计算与分子或原子的亮线光谱对应的光强度；以及比计算部，使用上述第2光强度计算部计算出的光强度，计算第1分子的分子光谱或第1原子的原子光谱的峰值与第2分子的分子光谱或第2原子的原子光谱的峰值之比。

根据该结构，通过将由分光计测器计测出的分光光谱利用多项式近似，计算每个波长的光强度。该多项式近似得到的光强度相当于表示作为连续光谱的热放射的光强度。因此，通过从分光光谱所表示的光强度减去利用多项式近似的光强度，能够正确地计算分子或原子的发光的光强度。因此，能够正确地计算特定的两个分子或原子的发光强度比。

例如也可以是，上述第1光强度计算部通过将由上述分光计测器计测出的、表示等离子CVD（Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积）装置的上述容器内的每个波长的光强度的上述分光光谱利用多项式近似，计算存在于上述等离子CVD装置内的等离子释放的光的每个波长的光强度；上述第2光强度计算部通过按每个波长、从由上述分光计测器计测出的上述分光光谱所表示的光强度减去上述第1光强度计算部计算出的上述等离子释放的光的光强度，计算与分子或原子的亮线光谱对应的、成膜在基板上的薄膜的分子或原子的发光的光强度。

根据该结构，通过将由分光计测器计测出的分光光谱利用多项式近似，计算等离子释放的光的每个波长的光强度。等离子由于是遍及宽波段的光，所以能够利用多项式近似。因此，通过从由上述分光计测器计测出的分光光谱所表示的光强度减去利用多项式近似的等离子释放的光的光强度，能够正确地计算成膜在基板上的薄膜的分子或原子的发光的光强度。因此，能够正确地计算特定的两个分子或原子的发光强度比。

此外，也可以是，上述发光分析装置还具备波长取得部，该波长取得部取得第1波长、大于上述第1波长的第2波长、大于上述第2波长的第3波长以及大于上述第3波长的第4波长；上述第1光强度计算部（a）通过对由上述分光计测器计测出的上述分光光谱中的作为从上述第1波长到上述第2波长的波段的第1波段所包含的分光光谱、和由上述分光计测器计测出的上述分光光谱中的作为从上述第3波长到上述第4波长的波段的第2波段所包含的分光光谱进行规定的函数的拟合，计算作为从上述第1波段所包含的第1规定波长到上述第2波段所包含的第2规定波长的波段的第3波段的光的光强度，（b）通过将上述第3波段中的计算出的光强度和上述第3波段以外的波段中的上述分光光谱利用多项式近似，计算上述容器内的每个波长的光强度。