[发明专利]从金属和碳基体制造应变敏感传感器和/或耐应变导管

权利要求书

1.一种装置，所述装置包括：

基底；

位于所述基底上的第一柔性电子部件，其中所述第一柔性电子部件包括基本上耐应变的导管；以及

位于所述基底上的第二柔性电子部件，其中所述第二柔性电子部件包括应变敏感传感器，

其中所述基本上耐应变的导管和所述应变敏感传感器均包括金属和碳基体。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属包括钯。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管和/或所述应变敏感传感器具有约100纳米至约10微米的尺寸。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器包括在约195摄氏度的温度下固化约30分钟的时间形成的结构，并且其中所述基本上耐应变的导管包括在约230摄氏度的温度下固化约30分钟的时间形成的结构。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管包括互连、电极、连接器、电线和/或导电迹线中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管包括连接器。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基底的尺寸范围从约1英寸至约30英寸。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管响应于应变具有零至接近零的应变系数。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管在所述金属和碳基体中包括至少一个尺寸约为20纳米至30纳米的金属纳米颗粒。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管在所述金属和碳基体中包括约20纳米至30纳米的平均纳米颗粒尺寸。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管在所述金属和碳基体中具有从约36%的重量百分比至约40%的重量百分比的碳含量。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器响应于应变具有约300至约400的应变系数。

13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器具有约0.2伏的最小激励电压。

14.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器对低至约0.09％的应变敏感。

15.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器在所述金属和碳基体中包括至少一个尺寸约为6纳米至10纳米的金属纳米颗粒。

16.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器在所述金属和碳基体中包括约6纳米至10纳米的平均纳米颗粒尺寸。

17.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器在所述金属和碳基体中具有从约55%的重量百分比至约60%的重量百分比的范围的碳含量。

18.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管和所述应变敏感传感器两者对于波长范围为约550纳米至约1100纳米的电磁辐射基本上是透明的。

19.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管和所述应变敏感传感器对波长大于约550纳米的电磁辐射均呈现约80％的透射率。

20.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置包括触敏显示器、柔性太阳能电池、柔性显示器、可伸缩显示器、可卷曲显示器和/或它们的组合中的一种或多种。

21.一种装置，所述装置包括：

基底；和

位于所述基底上的第一柔性电子部件，其中，所述第一柔性电子部件包括基本上耐应变的导管，并且其中所述基本上耐应变的导管包括具有从约36%的重量百分比至约40%的重量百分比的范围的碳含量的钯和碳基体。

22.根据权利要求21所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管响应于应变具有零至接近零的应变系数。

23.根据权利要求21所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管包括在约230摄氏度的温度下固化约30分钟的时间形成的结构。