[发明专利]从金属和碳基体制造应变敏感传感器和/或耐应变导管有效
申请号: | 201280026128.4 | 申请日: | 2012-06-07 |
公开(公告)号: | CN103582807A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | G·U·库尔卡尼;B·拉达;A·A·萨迦德 | 申请(专利权)人: | 贾瓦哈拉尔尼赫鲁高级科学研究中心 |
主分类号: | G01L1/22 | 分类号: | G01L1/22 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 印度卡*** | 国省代码: | 印度;IN |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 基体 制造 应变 敏感 传感器 导管 | ||
背景技术
除非此处另有说明,否则本部分描述的方法不是本申请权利要求的现有技术,不应该由于包括在本部分就认为是现有技术。
相对于传统的电子产品,柔性电子产品可以利用对弯曲、拉伸或扭曲具有宽的响应范围的材料成分。在柔性电路中,导管(conduit)和互连可被设计为经反复弯曲后呈现接近零的应变系数(gauge factor)(例如,其电阻的相对变化除以所施加的应变)。
发明内容
本文中描述的一些示例性方法、装置和系统可涉及制造由金属和碳基体组成的应变敏感传感器和/或耐应变导管。
一些示例性装置和系统可涉及应变敏感传感和/或耐应变导管。这种装置可包括基底、第一柔性电子部件和/或第二柔性电子部件。这种第一柔性电子部件可以位于基底上,其中,第一柔性微米级电子部件可以包括基本上耐应变的导管。这种第二柔性电子部件可以位于基底上,其中,第二柔性微米级电子部件可以包括应变敏感传感器。基本上耐应变的导管和应变敏感传感器均可以包括金属和碳基体。
一些示例性装置和系统可以涉及耐应变导管。这种装置可包括基底和/或第一柔性电子部件。这种第一柔性电子部件可以位于基底上,其中,第一柔性电子部件可以包括基本上耐应变的导管。这种基本上耐应变的导管可包括具有碳含量范围为从约36%的重量百分比至40%的重量百分比的钯和碳基体。
一些示例性装置和系统可以涉及应变敏感传感器。这种装置可包括基底和/或第一柔性电子部件。这种第一柔性电子部件可以位于基底上,其中,第一柔性电子部件可包括应变敏感传感器。这种应变敏感传感器可包括钯和碳基体。
一些示例性方法可以包括形成应变敏感传感器。这种应变敏感传感器可以包括基本上相互平行地沉积在基底上的多条金属迹线,其中,迹线可包括钯。多条金属迹线可在指定的时间和温度下固化以形成钯和碳基体,其中,固化的金属迹线可响应于应变具有约300至约400的应变系数。可沉积第一电极与多条金属迹线的一端相接触,以及可沉积第二电极与多条金属迹线的相对端接触。
一些示例性方法可以包括形成耐应变导管。这种耐应变导管可以包括沉积在基底上的金属迹线,其中,迹线可以包括钯。金属迹线可在指定的时间和温度下固化以形成钯和碳基体,其中,指定的时间和温度可以为在约230摄氏度的温度下约30分钟的时间。
一些示例性制品可以包括用于形成应变敏感传感器的机器可读指令。这种应变敏感传感器可以包括基本上相互平行地沉积在基底上的多条金属迹线,其中,迹线可以包括钯。多条金属迹线可以在指定的时间和温度下固化以形成钯和碳基体,其中,固化的金属迹线可以响应于应变具有约300至约400的应变系数。可沉积第一电极与多条金属迹线的一端相接触,以及可沉积第二电极与多条金属迹线的相对端接触。
前述发明内容仅仅是示例性的,且意图并非为任何限制。除了上面描述的示例性的方面、实施方式和特征之外,通过参考附图以及下面的详细描述,其它的方面、实施方式以及特征将变得明显。
附图说明
在说明书的结尾部分中特别地指出并清楚地要求了主题。根据结合附图的下列描述和所附权利要求,本公开的上述以及其它的特征将变得更加清楚。理解到这些附图仅描述了根据本公开的一些实施例,从而不认为限制本公开的范围,将通过使用附图用更多特征和细节来描述本公开。
在图中:
图1是在给定的处理阶段的示例性应变敏感传感器或耐应变导管的立体图的例示;
图2是在给定的处理阶段的示例性耐应变导管沿图1的线2-2的截面图的例示;
图3是在给定的处理阶段的示例性应变敏感传感器的截面图的例示;
图4是示例性应变敏感传感器组的电路图的例示;
图5是包括应变敏感传感器和/或耐应变导管的示例性电子装置的示意图的例示;
图6是用于形成应变敏感传感器的示例性过程的例示;
图7是弯曲半径相对于电阻值的曲线图的例示;
图8是应变百分比相对于电阻值变化的曲线图的例示;
图9是弯曲半径相对于电阻值的曲线图的例示;
图10是循环次数相对于电阻值的曲线图的例示;
图11是颗粒尺寸相对于基本电阻值的曲线图的例示;
图12是基本电阻值相对于应变系数的曲线图的例示;
图13是以空白(blank)聚酰亚胺基底作为基准的波长与透射率的曲线图的例示;
图14是示例性计算机程序产品的例示;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贾瓦哈拉尔尼赫鲁高级科学研究中心,未经贾瓦哈拉尔尼赫鲁高级科学研究中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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