[发明专利]集成电路检查装置有效
| 申请号： | 201280026635.8 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103563064A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 中村共则;平井伸幸 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/956 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 检查 装置 | ||
1.一种集成电路检查装置，其特征在于：
是用于检查包含半导体基板及形成于所述半导体基板的表面侧的电路部的集成电路的集成电路检查装置，
具备：
光产生部，其产生照射于所述集成电路的光；
波长宽度调整部，其调整照射于所述集成电路的光的波长宽度；
照射位置调整部，其调整照射于所述集成电路的光的照射位置；及
光检测部，其在来自所述光产生部的光经由所述半导体基板的背面而照射于所述电路部时，检测来自所述集成电路的光。
2.如权利要求1所述的集成电路检查装置，其特征在于：
所述光检测部对作为来自所述集成电路的光的干涉光的强度进行检测。
3.如权利要求1或2所述的集成电路检查装置，其特征在于：
所述光产生部具备超级发光二极管，
所述波长宽度调整部通过调整施加于所述超级发光二极管的电压来调整所述波长宽度。
4.如权利要求1或2所述的集成电路检查装置，其特征在于：
所述光产生部具有白色光源，
所述波长宽度调整部通过调整来自所述白色光源的光中通过的光的波长频带，从而调整所述波长宽度。
5.如权利要求1至4中任一项所述的集成电路检查装置，其特征在于：
所述照射位置调整部以使来自所述光产生部的光经由形成于所述半导体基板的耗尽层而照射于所述电路部的方式，调整所述照射位置。
6.如权利要求5所述的集成电路检查装置，其特征在于：
所述波长宽度调整部基于照射于所述集成电路的光的中心波长、所述半导体基板的折射率、所述半导体基板的厚度及所述耗尽层的深度，调整所述波长宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
