[发明专利]集成电路检查装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路检查装置。

背景技术

作为涉及集成电路检查装置的技术，例如在专利文献1中记载了将激光照射在形成于集成电路的晶体管的活性区域，通过检测由晶体管的活性区域调制且反射的激光，从而分析晶体管的故障的技术。专利文献1中，激光的调制依赖于相对于施加于晶体管的电压的晶体管的响应，通过分析经调制的激光的振幅或强度、旋光、相位，能够调查晶体管的故障的有无。

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2010/0039131号说明书

发明内容

发明所要解决的问题

然而，专利文献1所记载的技术中，由于经由半导体基板的背面将激光照射在晶体管的活性区域，因此，存在由半导体基板的背面反射的激光与由晶体管的活性区域调制且反射的激光干涉的担忧。即，存在由背面反射的激光的干涉信息与调制后的激光的信号信息重叠而使S/N下降的担忧。而且，光学距离根据起因于温度变化的半导体基板的膨胀或折射率的变化等而变化，因此，该干涉信息极不容易稳定。

因此，本发明的目的在于提供能够提高集成电路的检查精度的集成电路检查装置。

解决问题的技术手段

本发明的一个方面的集成电路检查装置，是用于检查包含半导体基板及形成于半导体基板的表面侧的电路部的集成电路的集成电路检查装置，具备：光产生部，其产生照射于集成电路的光；波长宽度调整部，其调整照射于集成电路的光的波长宽度；照射位置调整部，其调整照射于集成电路的光的照射位置；及光检测部，其在来自光产生部的光经由半导体基板的背面而照射于电路部时，检测来自集成电路的光。

该集成电路检查装置中，通过波长宽度调整部调整照射于集成电路的光的波长宽度。由此，例如对应于电路部与半导体基板的背面的距离而加宽波长宽度（即，缩短可干涉距离），能够抑制由半导体基板的背面反射的光（以下，称为“背面反射光”）与来自电路部及其附近的光发生干涉。即，能够抑制背面反射光的干涉信息与来自电路部及其附近的光的信号信息重叠而使S/N下降。因此，根据该集成电路检查装置，能够提高集成电路的检查精度。

本发明的集成电路检查装置中，光检测部也可以对作为来自集成电路的光的干涉光的强度进行检测。如上所述，抑制了背面反射光相对于来自电路部及其附近的光的干涉，因此，由光检测部检测的干涉光的强度主要成为关于来自电路部及其附近的光的强度。因此，基于由光检测部检测的干涉光的强度，能够精度良好地分析电路部的状态。

本发明的集成电路检查装置中，光产生部也可以具备超级发光二极管（Super Luminescent Diode），波长宽度调整部通过调整施加于超级发光二极管的电压来调整波长宽度。或者，光产生部也可以具备白色光源，波长宽度调整部通过调整来自白色光源的光中通过的光的波长频带，从而调整波长宽度。根据这些构成，能够适当地调整照射于集成电路的光的波长宽度。特别是在光产生部具有超级发光二极管的情况下，能够得到光亮度的光。

本发明的集成电路检查装置中，照射位置调整部也可以以使来自光产生部的光经由形成于半导体基板的耗尽层而照射于电路部的方式，调整照射位置。根据该构成，例如MOS型晶体管部中，通过将光经由耗尽层而照射于漏极，从而能够检测由在耗尽层侧的漏极的界面（因物质的不同而产生的面）上的反射光或在漏极的相反侧的耗尽层的界面（由载体密度的不同而产生的面）上的反射光等所产生的干涉光的强度，并且可以精度良好地分析电路部的状态。

本发明的集成电路检查装置中，波长宽度调整部也可以基于照射于集成电路的光的中心波长、半导体基板的折射率、半导体基板的厚度及耗尽层的深度，调整波长宽度。根据该构成，在经由耗尽层而将光照射于电路部的情况下，由于抑制背面反射光相对于来自电路部及其附近的光的干涉，主要检测来自电路部及其附近的光，因而能够适当地调整照射于集成电路的光的波长宽度。

发明的效果

根据本发明，能够提高集成电路的检查精度。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的集成电路检查装置的构成图。

图2是图1的集成电路检查装置的被检查设备即集成电路的一部份的构成图。

图3是关于使用图1的集成电路检查装置的集成电路动作像的制作的说明图。

图4是关于使用图1的集成电路检查装置的集成电路动作像的制作的说明图。

图5是表示集成电路动作像的比较例及实施例的图。

图6是本发明的其它的实施方式的集成电路检查装置的构成图。