[发明专利]半导体装置用的切割加工用粘结带有效
| 申请号： | 201280029289.9 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103608901A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 大田乡史;冈本和幸 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 切割 工用 粘结 | ||
1.一种半导体装置用的切割加工用粘结带，其是在基材膜上形成放射线固化型粘结剂层而成的半导体装置切割用粘结带，其特征在于，
所述基材膜由2层以上的基材树脂膜层构成，邻接于该粘结剂层侧的基材树脂膜层的熔点为100℃～120℃，与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与所述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层的熔点为140℃～150℃。
2.如权利要求1所述的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，邻接于所述粘结剂层侧的基材树脂膜层含有低密度聚乙烯或直链状低密度聚乙烯，邻接于与粘结剂层相反侧的基材树脂膜层含有聚丙烯。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，所述基材膜的邻接于所述粘结剂层侧的基材树脂膜层的熔点为108℃～117℃，并且与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与所述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层的熔点为146℃～150℃。
4.如权利要求1～3任一项所述的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，邻接于所述粘结剂层侧的基材树脂膜层的厚度相对于基材树脂膜整体厚度为20%～40%。
5.如权利要求1～4任一项所述的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，邻接于所述粘结剂层侧的基材树脂膜层的厚度相对于基材树脂膜整体厚度为64/3～40%。
6.如权利要求1～5任一项所述的半导体装置用的切割用加工用粘结带，其特征在于，放射线固化前的基于JIS K7128-1的撕裂强度为70N/mm～95N/mm。
7.一种半导体装置的加工方法，其是将权利要求1～6任一项所述的半导体装置切割用粘结带贴合在半导体装置、然后对该进行了贴合的半导体装置进行切割加工的半导体装置的加工方法，其特征在于，
对所述基材膜的邻接于所述粘结剂层侧的基材树脂膜层进行全面切割。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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