[发明专利]半导体装置用的切割加工用粘结带

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于将半导体装置切割分离为小片的半导体装置切割工序所使用的半导体装置切割用粘结带、及使用该粘结带的半导体装置芯片的制造方法。

背景技术

在将形成有电路图案的半导体装置晶片分离为芯片状、即进行所谓的晶片切割加工时，进行将半导体装置晶片固定于切割用粘结带上并拾取的方式。在该方式中，半导体装置晶片在移至安装工序前于贴合、固定于晶片切割用粘结带的状态下被晶片切割成芯片状。其后，将所获得的半导体装置晶片芯片清洗、干燥后进行拾取，并通过利用固化树脂的密封而封装化，由此得到半导体装置封装件。

以往所使用的方法中，在利用上述工序制作半导体装置晶片芯片后进行个别密封。近年来，进行有整体模具密封封装切割(一括モールド封止パッケージダイシング)，其中，对利用固化树脂接合在一片基板上的复数个半导体装置晶片芯片一并进行密封而成的封装件进行封装切割，从而获得各个半导体装置。

另外，在切割中，形成有IC等特定电路图案的半导体晶片或利用树脂整体密封的封装件在其背面贴合半导体晶片加工用粘结带后，经由分散有金属颗粒的刀片高速旋转等的旋转刀而切割处理成特定的芯片尺寸。该处理时，通常采用有进行达到半导体晶片加工用粘结带的一部分的切割而将晶片分割的方法。

切割工序所使用的刀片通常利用自磨损而使自锐功能活化并产生切削性能。该自锐功能受到切削的半导体装置及同时被切削的粘结带影响，因此即便在对相同半导体装置进行处理的情况下，若使用不同的粘结带，则刀片的自磨损量变动，不易由刀片切割的胶带会相应地使刀片磨损。

为了提高切削性，若应用自磨损量较多、例如熔点较高的粘结带，则在切割中刀片的直径变小，因此在每个切割线或同一切割线中切入深度发生变化，有可能对分割后的半导体装置的品质造成影响。另外，因刀片的寿命变短，因此需要增加更换频率，在作业性的恶化及刀片的成本方面也有改良的余地。

因此，例如在专利文献1中，提出有通过切割装置而持续监控刀片直径，提高加工稳定性的方法。在该方法中，若判定为达到在切割刀片的前端产生偏磨损而无法以标准尺寸对作为切入对象的封装基板准确地进行全面切割的磨损状态，则发出警报督促更换切割刀片，因此刀片的更换频率变高，在作业性及成本方面还存在改良的余地。

为了降低刀片的磨损量，例如在专利文献2中提出有使刀片倾斜而使其局部磨损的方法，但为了进行全面切割，需要使用两种刀片或变更切割刀片的角度，作业性无法说是十分良好的。

另外，在专利文献3中，提出有为了获得在切割面上不产生线状毛边的切割加工性，将纵向的拉伸弹性模量与横向的拉伸弹性模量及它们的比设定为特定范围内，但关于切割工序中的刀片的磨损量则未作记载。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-166546号公报

专利文献2：日本特开2004-47602号公报

专利文献3：日本特开2005-68420号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供一种降低切割工序中刀片的磨损量、并且提高作业性的半导体装置用的切割加工用粘结带、及使用该粘结带的半导体装置芯片的制造方法。

用于解决问题的手段

本发明人为了达成上述目的而反复进行深入研究，结果发现：通过将构成粘结带的基材树脂膜层设为2层以上构成，并使该2层以上构成的树脂的熔点有差异，从而可降低刀片磨损量。本发明是基于该见解而完成的。

本发明的课题是通过以下方法而达成的。

即本发明提供下述方案。

＜1＞一种半导体装置用的切割加工用粘结带，其是在基材膜上形成放射线固化型粘结剂层而成的半导体装置切割用粘结带，其特征在于，所述基材膜由2层以上的基材树脂膜层构成，邻接于该粘结剂层侧的基材树脂膜层的熔点为100℃～120℃，与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与所述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层的熔点为140℃～150℃；

＜2＞如上述＜1＞的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，邻接于上述粘结剂层侧的基材树脂膜层含有低密度聚乙烯或直链状低密度聚乙烯，邻接于与粘结剂层相反侧的基材树脂膜层含有聚丙烯；

＜3＞如上述＜1＞或＜2＞的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，上述基材膜的邻接于上述粘结剂层侧的基材树脂膜层的熔点为108℃～117℃，且与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与上述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层的熔点为146℃～150℃；