[发明专利]涂敷电子设备和相关方法

权利要求书

1.一种涂敷电子设备的表面的方法，包含：

将电子设备的表面暴露于等离子体，所述等离子体包含具有下述化学式的化合物：

CH₂=C(R₁)-COO-R₂

其中R₁包括-H或者-CH₃，R₂包括-(CH₂)₂-(CF₂)m-CF₃，且m是3或5，从而在该表面上形成聚合物涂层，该聚合物涂层具有至少为5的疏油性水平。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物涂层具有5或6的疏油性水平。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物涂层具有低毒性，全氟辛烷磺酸(PFOS)水平低于0.1个十亿分之一(ppb)且全氟辛酸(PFOA)水平低于0.2个十亿分之一(ppb)。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物涂层包含选自由下述组成的群组的聚合物：

以及其混合物，其中n是2至100000。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在将电子设备的表面暴露于包含该化合物的等离子体之前，以大约30cm³/min至大约50cm³/min的流速在等离子体室中引入所述化合物。

6.如权利要求1所述的方法，其中等离子体是低于1000mTorr的低压等离子体。

7.如权利要求1所述的方法，其中在将表面暴露于等离子体之前，该设备的至少一部分被打开。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在将表面暴露于等离子体之前，清洁、蚀刻或者激活该电子设备。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在将表面暴露于等离子体之前，对该电子设备除气。

10.如权利要求1所述的方法，其中在大约10mTorr至大约1000mTorr的压强，在大约5℃至大约200℃的温度，以及在大约20kHz至大约2.45GHz的频率，并且在大约5W至大约5000W的功率设置，形成所述等离子体。

11.如权利要求1所述的方法，其中在大约20mTorr至大约60mTorr的压强，形成所述等离子体。

12.如权利要求1所述的方法，其中在大约40℃至大约50℃的温度，形成所述等离子体。

13.如权利要求1所述的方法，其中在大约12MHz至大约15MHz的频率，形成所述等离子体。

14.如权利要求1所述的方法，其中在电极的大约0.017至0.023W每cm²的功率设置，形成所述等离子体。

15.如权利要求1所述的方法，其中在电子设备上以每分钟大约25至75nm厚度的速率形成所述聚合物涂层。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述电子设备选自由下述组成的群组：手机、个人数字助理、计算机、平板计算机、音乐播放器、照相机、录像机、电池、电子阅读器、无线电设备和游戏设备。

17.如权利要求1所述的方法，其中暴露步骤包含下述步骤：

将电子设备放置在等离子体室中；

在等离子体室中在存在所述化合物时形成连续等离子体，从而形成蒸发的化合物；以及

使蒸发的化合物与电子设备的表面接触，由此该表面上形成聚合物涂层。

18.一种涂敷电子设备表面的方法，包含：

将电子设备的表面暴露于等离子体以形成聚合物涂层，所述聚合物涂层包含选自由下述组成的群组的聚合物：

以及其混合物，其中n为2至100000，并且其中所述聚合物涂层具有低毒性，全氟辛烷磺酸(PFOS)水平低于0.1个十亿分之一(ppb)且全氟辛酸(PFOA)水平低于0.2个十亿分之一(ppb)。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述聚合物涂层具有至少为5的疏油性水平。