[发明专利]涂敷电子设备和相关方法无效
申请号: | 201280030224.6 | 申请日: | 2012-05-17 |
公开(公告)号: | CN103782366A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 菲利普·乐俊;安东尼·范兰德赫姆;彼得·马腾斯 | 申请(专利权)人: | 立可泼知识产权有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/44 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 相关 方法 | ||
背景技术
电子设备实质上是导电材料且电绝缘材料的三维结构。电子设备不仅包括装备,而且包括子组件、裸露的和组装的印刷电路板(PCB)、以及比如集成电路和晶体管的单独部件。所述结构的导电部分通常由比如铜、铝、银、金、导电聚合物、半导体材料等的金属组成。这些结构的非导电部分或者绝缘体通常由比如聚酰亚胺、聚四氟乙烯、硅树脂或者聚酰胺的聚合物组成,该聚合物具有或者不具有玻璃纤维增强材料、基于纸的材料、陶瓷、玻璃等。
组装的电子设备在其寿命的整个过程中遭受多种形式沾污。某些材料的导电性可能由于大气腐蚀而降低,并且污染会导致在相邻迹线或导体之间建立导电路径。此外,电子设备可能经常无意地被浸没在比如水的各种液体中,经常毁坏电子设备的功能。由于电子设备正日益应用于越来越不友好和受污染的环境中,保护这些物件在暴露于所述环境中时不损坏的需求变得更大。
发明内容
相应地,已经认识到存在对这样的涂敷电子设备和方法的需求,所述涂敷电子设备和方法允许保护电子设备免受水或其它湿气暴露、污染物和/或其它沾污的影响。这样,本发明公开提供一种具有低毒性聚合物涂层的电子设备。所述聚合物涂层可以为电子设备提供针对上述要素的保护,并且以对于用户和环境是安全的方式来提供所述保护。
通过将电子设备暴露于比如连续等离子体的等离子体可以形成所述聚合物涂层,所述等离子体是具有下述结构的单体蒸汽的等离子体:
CH2=C(R1)-COO-R2
其中R1包括-H或-CH3;并且其中R2包括-(CH2)2-(CF2)m-CF3,以及m是3或5。这样,聚合涂层可以包含一种选自由下述组成的群组的化合物:
以及它们的混合物,其中n是2至100000。
此外,一种使用低毒性聚合物涂层用于保护电子设备免受污染和/或沾污(包括暴露于水或其它湿气)的方法可以包含:将电子设备放置在等离子体室中;在等离子体室中形成比如连续等离子体的等离子体;蒸发包含CH2=C(R1)-COOR-R2的化合物,其中R1为-H或-CH3,并且其中R2包括-(CH2)2-(CF2)m-CF3,以及m是3或5;以及使所蒸发的化合物与所述等离子体室中的等离子体混合。由于电子设备在该室中,所蒸发的化合物可以在电子设备的表面聚合,从而在电子设备的表面上形成聚合物涂层。
本发明的附加特征和优点通过结合附图进行的下述详细说明将是显而易见的,所述附图一起通过示例方式来说明本发明的各特征。
附图说明
图1是依据本发明公开的实例的涂敷装置的示意图;以及
图2是依据本发明公开的一实例的方法的流程图。
具体实施方式
现参照在附图种说明的示范性实施例,并且将使用特定语言来描述所述示范性实施例。然而将理解,本发明的范围不旨在限于所述示范性实施例。(相关领域以及获悉本公开内容的技术人员将想到的)此处说明的本发明特征的变更和另外改动以及此处说明的本发明原理的其它应用被认为是在本发明范围之内。
注意,如说明书和所附权利要求中所使用,那些单数形式“一(a或an)”以及“该(the)”包括复数个指代物,除非上下文另外清楚地指示。
如此处使用,“疏油性”是指在本发明公开申请之日,由国际标准组织根据ISO14419:2010测量的不溶于油的分子或化合物的物理属性。
如此处使用,“低毒性”是指具有低于0.2个十亿分之一(ppb)水平的全氟辛烷磺酸(PFOS)以及低于0.4个十亿分之一(ppb)水平的全氟辛酸(PFOA),除非另有说明。
如此处使用,“不含PFOS和PFOA”是指PFOS和PFOA低于可检测极限的物质或聚合物涂层。“基本上不含PFOS和PFOA”是指物质或聚合物涂层具有低PFOS水平和/或低PFOA水平,使得该涂层将被认为具有“低毒性”。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造