[发明专利]带贴附设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于将切割带贴附到半导体晶片等上的带贴附设备。具体地，本发明涉及一种适用于将带贴附在具有脆性结构的贴附目标对象上的设备。

背景技术

传统地，如图17中所示，当在半导体制造过程中将切割带贴附到半导体晶片上时，例如，晶片42放置在基台41上，并且通过使用具有粘附在其表面上的橡胶的辊44、圆柱形块等从上面压带43而将带43贴附在晶片42。然而，该方法具有的问题在于因此在大气中实施该过程，因此空气往往会被圈闭在晶片42与带43之间，并且如果在这种状态下实施切割(即，芯片被分割)，则会出现裂缝和碎裂。

因此，已经提出了一种在真空下贴附带的贴附设备。例如，如图18所示，专利文献1公开了一种带贴附设备50，所述带贴附设备50包括：室52，所述室52中形成有气密空间51；将气密空间51分成第一气密空间53和第二气密空间54的橡胶板56；将带57保持在橡胶板56上方的框架基台58；和第一空气流道59和第二空气流道60，所述第一空气流道59和第二空气流道60用于使第一气密空间53和第二气密空间54的气压状态在真空／大气状态之间进行切换，其中晶片55放置在橡胶板56的顶部表面上。

在带贴附设备50中，首先使第一气密空间53和第二气密空间54处于真空状态，然后仅将第二气密空间54切换到大气状态，从而在第一气密空间53和第二气密空间54之间产生压力差。因此，橡胶板膨胀，并且晶片55被上推，从而使晶片55与带57的粘合表面(后表面)接触。本带贴附设备50使得可以在真空下将带57贴附在晶片55上并因此防止空气被圈闭在带57与晶片55之间。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利No.4143488

发明内容

技术问题

近年来，由于电子设备等的尺寸的减小，使电路小型化发展的超薄半导体芯片已经变得普遍。进一步地，自然地，用于这种半导体芯片的晶片的厚度的减少也快速发展。这种薄晶片自然具有低强度，并因此往往会翘曲。因此，问题在于所述晶片在垂直压力和冲击下极其脆弱，并且当将带贴附在晶片上时可能会出现裂缝和碎裂。因此，期望研制一种除了防止空气被圈闭在晶片与带之间之外还能够减小将带贴附在晶片上时施加在晶片上的载荷的贴附设备。

进一步地，近年来，上面安装有诸如MEMS(微电机械系统)的脆性构造的晶片(在下文中称作“MEMS晶片”)的使用已经变得普遍。作为MEMS晶片，如图19A所示9，例如，具有晶片9，在晶片9中，薄膜31A被贴附以覆盖形成在晶片9中的凹入部，并因此在晶片9内部形成气密空间32A。进一步地，作为类似于此的MEMS晶片，具有晶片9，在晶片9中，通孔(一个或多个)形成在薄膜31A或晶片9的一部分中，使得空气可以在气密空间32A与外部空间之间移动。进一步地，如图20A所示图，例如，具有晶片9，在晶片9中，薄膜31B被贴附以覆盖通过晶片9形成的开口部的口部中的一个。

应该注意的是当使用专利文献1中公开的带贴附设备50将带57贴附在如图19或图20所示的MEMS晶片上时会出现以下问题。

在带贴附设备50中，首先，MEMS晶片放置在橡胶板56上，并且通过从第一气密空间53抽吸空气来对第一气密空间53进行减压。然而，在使用图19A中所示的其中通孔(一个或多个)形成在薄膜31A或晶片9的一部分中的MEMS晶片或图20A所示的MEMS晶片的情况下，当从第一气密空间53快速抽吸空气时，从第一气密空间53流出的空气的速度变得非常高。因此，存在薄膜31A或31B由于第一气密空间53的空气移动而振动并被破坏的风险。

进一步地，在带贴附设备50中，通过从第一气密空间53抽吸空气而使第一气密空间53进入真空状态。然而，在使用其中在薄膜31或晶片9中没有形成通孔的MEMS晶片的情况下，由于从第一气密空间53抽吸空气在形成在MEMS晶片的气密空间32A与第一气密空间53之间产生压力差。因此，如图19B所示，气密空间32A的空气膨胀，并且从气密空间32A侧将压力施加在薄膜31A上。因此，薄膜31A被上推到第一气密空间53侧。接着，当从气密空间32A侧施加在薄膜31A上的压力达到极限时，薄膜31A可能会被破坏。

进一步地，当将带57贴在图20A所示的MEMS晶片上时，在真空第一气密空间53中带57被贴附以遮盖通过晶片9形成的开口部的其它口部。因此，MEMS晶片的开口部被薄膜31B和带57遮盖，从而形成真空气密空间32B。