[发明专利]用于存储器的电路和方法

权利要求书

1.一种芯片，包括：

存储单元的读取端口，所述读取端口包括：

读取字线(RWL)节点和数据晶体管控制节点，以及

耦合在所述RWL节点和所述数据晶体管控制节点之间的电容性设备。

2.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述电容性设备包括晶体管。

3.根据权利要求2所述的芯片，其中，所述晶体管是P型CMOS晶体管。

4.根据权利要求3所述的芯片，其中，所述晶体管具有连接到一起并且耦合到所述数据晶体管控制节点的源极和漏极。

5.根据权利要求1所述的芯片，进一步包括耦合在所述数据晶体管控制节点和所述存储单元的位节点之间的N型晶体管。

6.根据权利要求5所述的芯片，进一步包括耦合在所述数据晶体管控制节点和所述位节点之间的P型晶体管，所述P型晶体管具有耦合到所述RWL节点的栅极。

7.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述电容性设备选择性地耦合到所述RWL节点，其中，对于第一操作模式，所述电容性设备连接到参考电源，并且对于第二较低供电水平操作模式，所述电容性设备连接到所述RWL节点。

8.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述存储单元是动态寄存器文件阵列的一部分。

9.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述存储单元是连接到公共本地位线的至少64个存储单元的组的一部分。

10.一种装置，包括：

具有多个位单元的位线，位节点和读取端口耦合到所述位线，每一个读取端口包括：

读取字线(RWL)节点，用于控制RWL晶体管和数据晶体管节点，以便控制数据晶体管；以及

选择性地可接合的电容性设备，位于所述RWL节点和所述数据晶体管节点之间。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述电容性设备包括晶体管。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述晶体管是P型CMOS晶体管。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述晶体管具有连接到一起并且耦合到所述数据晶体管节点的源极和漏极。

14.根据权利要求10所述的装置，进一步包括耦合在所述数据晶体管节点和所述装置的存储单元的位节点之间的N型晶体管。

15.根据权利要求14所述的装置，进一步包括耦合在所述数据晶体管节点和所述位节点之间的P型晶体管，所述P型晶体管具有耦合到所述RWL节点的栅极。

16.根据权利要求10所述的装置，其中，所述位线是动态寄存器文件阵列的一部分。

17.根据权利要求10所述的装置，其中，所述存储单元的组包括至少64个存储单元。

18.一种方法，包括：

通过对字线节点进行从低到高的变换来使所述字线节点生效，以便导通字线晶体管；并且

从所述字线节点结束所述从低到高的变换时，将电压泵电容性耦合到数据晶体管节点。

19.根据权利要求18所述的方法，包括当所述数据晶体管要导通用于读取逻辑1时，将所述泵添加到逻辑高电压水平。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，通过PMOS晶体管的方式，将所述逻辑1从位单元耦合到所述数据晶体管节点。