[发明专利]无焊内建层封装的翘曲减小

权利要求书

1.一种微电子封装，包括：

微电子器件，其具有有源表面、相对的背部表面和至少一个侧面；以及

邻近所述微电子器件背部表面的翘曲控制结构，其中，所述翘曲控制结构包括高热膨胀系数材料层和高弹性模量材料层。

2.如权利要求1所述的微电子封装，其中，所述高热膨胀系数材料层包括热膨胀系数大于大约25ppm/℃的材料。

3.如权利要求1所述微电子封装，其中，所述高热膨胀系数材料层包括填充环氧树脂材料层。

4.如权利要求1所述的微电子封装，其中，所述高弹性模量材料层包括模量大于大约50GPa的材料层。

5.如权利要求1所述的微电子封装，其中，所述高弹性模量材料包括金属层。

6.如权利要求1所述的微电子封装，进一步包括：邻近所述微电子器件的有源表面的至少一部分和至少一个微电子器件侧面的至少一部分而设置的封装材料。

7.如权利要求6所述的微电子封装，进一步包括：在靠近所述微电子器件的有源表面的所述封装材料的第一表面上所形成的内建层。

8.一种制造微电子封装的方法，包括：

形成微电子器件，所述微电子器件具有有源表面、相对的背部表面和至少一个侧面；以及

形成邻近所述微电子器件的背部表面的翘曲控制结构，包括形成邻近高弹性模量材料层的高热膨胀系数材料层。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述高热膨胀系数材料层包括：在所述微电子器件的背部表面上形成所述高热膨胀系数材料层。

10.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述高热膨胀系数材料层包括：形成热膨胀系数大于大约25ppm/℃的材料层。

11.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述高热膨胀系数材料层包括：形成填充环氧树脂材料层。

12.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述高弹性模量材料层包括：形成模量大于大约50GPa的材料层。

13.如权利要求8所述的方法，进一步包括：邻近所述微电子器件的有源表面的至少一部分和至少一个微电子器件侧面的至少一个部分来设置封装材料。

14.如权利要求8所述的方法，进一步包括：在靠近所述微电子器件的有源表面的所述封装材料的第一表面上形成内建层。

15.一种制造微电子封装的方法，包括：

提供载体；

在所述载体上形成微电子器件附接焊盘，其中，所述微电子器件附接焊盘包括高弹性模量材料层；

附接微电子器件到所述微电子器件附接焊盘，所述微电子器件具有有源表面、相对的背部表面和至少一个侧面，其中，附接所述微电子器件包括：在所述微电子器件的背部表面和所述微电子器件的附接焊盘之间设置高热膨胀系数材料层；

邻近所述微电子器件的有源表面的至少一部分和至少一个微电子器件侧面的至少一个部分来设置封装材料；以及

去除所述载体。

16.如权利要求15所述的方法，其中，在所述微电子器件的背部表面和所述微电子器件的附接焊盘之间设置高热膨胀系数材料层包括：在所述微电子器件的背部表面和所述微电子器件的附接焊盘之间设置热膨胀系数大于大约25ppm/℃的材料层。

17.如权利要求15所述的方法，其中，在所述微电子器件的背部表面和所述微电子器件的附接焊盘之间设置高热膨胀系数材料层包括：在所述微电子器件的背部表面和所述微电子器件的附接焊盘之间设置填充环氧树脂材料层。

18.如权利要求15所述的方法，其中，在所述载体上形成微电子器件附接焊盘包括：在所述载体上形成微电子器件附接焊盘，其中，所述微电子器件附接焊盘包括模量大于大约50GPa的高弹性模量材料层。

19.如权利要求15所述的方法，其中，设置所述封装材料包括：邻近所述微电子器件的有源表面的至少一部分和至少一个微电子器件侧面的至少一个部分设置填充环氧树脂材料。

20.如权利要求15所述的方法，进一步包括：在靠近所述微电子器件的有源表面的封装材料的第一表面上形成内建层。