[发明专利]前馈有源解耦无效

专利信息
申请号: 201280034605.1 申请日: 2012-05-18
公开(公告)号: CN103650338A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: B·P·金斯堡;V·B·伦塔拉;S·拉马斯瓦米;B·赫龙;E·石 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H03F3/04 分类号: H03F3/04;G05F1/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 有源
【权利要求书】:

1.一种装置,其包括:

第一电源导轨;

第二电源导轨;

第三电源导轨;

耦合在所述第一与第二电源导轨之间的第一电容器;

与所述第一与第三电源导轨中的至少一个耦合的第二电容器;

输入电路,其耦合在所述第一与第二电源导轨之间并接收使能信号,其中所述输入电路被配置以供应电流;

复制电路,其接收所述使能信号并经配置生成所述电流的复制品;和

电流镜,其耦合到所述第三电源导轨、所述第一电源导轨和第一晶体管的第一被动电极。

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述复制电路进一步包括第一晶体管,其具有第一被动电极、第二被动电极和控制电极,其中所述第一晶体管的第二被动电极耦合到所述第二电源导轨,并且其中所述第一晶体管的控制电极接收所述使能信号。

3.根据权利要求2所述的装置,其中所述电流镜进一步包括:

第二晶体管,其耦合在所述第三电源导轨与所述第一晶体管的第一被动电极之间,其中所述第二晶体管具有控制电极,并且其中所述第二晶体管是二极管连接的;和

具有控制电极的第三晶体管,其中所述第三晶体管耦合在所述第一与第三电源导轨之间,并在其控制电极耦合到所述第二晶体管的控制电极。

4.根据权利要求3所述的装置,其中所述第二电容器耦合在所述第二与第三电源导轨之间,并且其中所述装置进一步包括耦合到所述第三电源导轨的电流源。

5.根据权利要求4所述的装置,其中所述电流源进一步包括可调的电流源。

6.根据权利要求5所述的装置,其中所述装置进一步包括耦合到所述第一和第三电源导轨的低压降稳压器,即LDO。

7.根据权利要求6所述的装置,其中所述输入电路进一步包括低噪声放大器,即LNA。

8.根据权利要求3所述的装置,其中所述第二电容器耦合在所述第三晶体管与所述第一电源导轨之间。

9.根据权利要求8所述的装置,其中所述装置进一步包括耦合在所述第三晶体管与所述第二电源导轨之间的开关,其中所述开关由所述使能信号的反转控制。

10.一种装置,其包括:

第一电源导轨;

第二电源导轨;

第三电源导轨;

耦合在所述第一与第二电源导轨之间的第一电容器;

耦合到所述第一和第三电源导轨中的至少一个的第二电容器;

输入电路,其耦合在所述第一与第二电源导轨之间并接收使能信号;

第一MOS晶体管,其在其源极耦合到所述第二电源导轨,并在其栅极接收所述使能信号;和

电流镜,其耦合到所述第三电源导轨、第一电源导轨和第一晶体管的第一被动电极。

11.一种方法,其包括:

复制由输入电路供应的第一电流,以便生成第二电流;

镜像所述第二电流,以便从耦合到第一电源导轨的第一电源向所述输入电路提供第二电流;以及

从耦合到第二电源的第二电源导轨提供第三电流,其中所述第三电流是所述第一与第二电流之间的差值。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述方法进一步包括补偿所述第一电源导轨上的纹波。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述方法进一步包括向所述第一电源导轨提供大致恒定的电流。

14.根据权利要求12所述的方法,其中所述第二电源进一步包括耦合到所述第一电源的LDO。

15.根据权利要求14所述的方法,其中所述方法进一步包括至少部分地基于所述LDO的输出调节提供给所述第一电源导轨的第四电流。

16.根据权利要求11所述的方法,其中所述提供的步骤进一步包括:

在第一间隔期间,将电容器耦合在所述第二电源导轨与第三电源导轨之间,以便对所述电容器充电;以及

在第二间隔期间,将所述电容器耦合在所述第一电源导轨与所述输入电路之间。

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