[发明专利]前馈有源解耦

说明书

技术领域

本发明主要涉及调节电源，并且更具体地，涉及占空比系统中的电源瞬态补偿。

背景技术

转向图1，能够看到常规集成电路（IC）102的一个例子。这个IC102主要包括输入电路（对于这个例子，输入电路是低噪声放大器或LNA108），其具有大时变电流消耗。如这个例子所示，LNA108由NMOS晶体管Ql和电阻器Rl表示，耦合在两个电源导轨VDDA与VSS（其耦合到电源106）之间，并接收使能信号EN。通常，使能信号EN由脉冲流（其通常是每10ns中1ns）组成。在工作过程中，LNA108（以及其他输入电路）能够受到由于电阻性电压降造成的损耗以及封装电感104造成的电压变化，并且因为这些封装电感104，LNA108（或其他电路）应当被启动比使能信号EN提供的非常短的时间段（即，10ns）长的一段时间以允许电源瞬态解决。电容器C1通常被用于执行静态解耦，但是，对于许多应用，这是不够的。因此，需要一种方法和/或装置执行有效解耦。

一些其他常规电路如下：美国专利号6414553；美国专利号7084706；美国专利号7839129；美国预授权专利公开号2009/0066162；以及Pant等人在2008年IEEE Intl.Solid-State Circuits Conf（国际固态电路研讨会）上发表的“A Charge-Injection Based Active-Decoupling Technique for Inductive-Supply-Noise Suppression（一种用于电感电源噪声抑制的基于电荷注入的有源解耦技术）”（技术论文摘要，第416、417和624页，2008年2月3-7日）。

发明内容

一个实施例，相应地，提供了一种装置。所述装置包括第一电源导轨；第二电源导轨；第三电源导轨；耦合到第三电源导轨的电流源；耦合在第一与第二电源导轨之间的第一电容器；耦合到第一与第三电源导轨中的至少一个的第二电容器；耦合在第一与第二电源导轨之间并接收使能信号的输入电路；具有第一被动电极、第二被动电极以及控制电极的第一晶体管，其中第一晶体管的第二被动电极耦合到第二电源导轨，并且其中所述第一晶体管的控制电极接收使能信号；和耦合到第三电源导轨、第一电源导轨以及第一晶体管的第一被动电极的电流镜。

在一个实施例中，电流镜像进一步包括：耦合在第三电源导轨与第一晶体管的第一被动电极之间的第二晶体管，其中所述第二晶体管具有控制电极，并且其中所述第二晶体管是二极管连接的；和具有控制电极的第三晶体管，其中所述第三晶体管耦合在第一与第三电源导轨之间，并在其控制电极耦合到第二晶体管的控制电极。

在一个实施例中，第二电容器耦合在第二与第三电源导轨之间。

在一个实施例中，电流源进一步包括可调节的电流源。

在一个实施例中，所述装置进一步包括耦合到第一和第三电源导轨的低压降稳压器（LDO）。

在一个实施例中，所述输入电路进一步包括低噪声放大器（LNA）。

在一个实施例中，第二电容器耦合在第三晶体管与第一电源导轨之间。

在一个实施例中，所述装置进一步包括耦合在第三晶体管与第二电源导轨之间的开关，其中所述开关由使能信号的反转控制。

在一个实施例中，提供一种装置。所述装置包括第一电源导轨；第二电源导轨；第三电源导轨；耦合到第三电源导轨的电流源；耦合在第一与第二电源导轨之间的第一电容器；耦合到第一与第三电源导轨中的至少一个的第二电容器；耦合在第一与第二电源导轨之间并接收使能信号的输入电路；第一MOS晶体管，其在其源极耦合到第二电源导轨并在其栅极接收使能信号；和耦合到第三电源导轨、第一电源导轨以及第一晶体管的第一被动电极的电流镜。

在一个实施例中，所述电流镜进一步包括：第二MOS晶体管，其在其源极耦合到第三电源导轨，并在其栅极和源极耦合到第一MOS晶体管的漏极；和第三MOS晶体管，其耦合在所述第一与第三电源导轨之间，并在其栅极耦合到第二MOS晶体管的栅极。

在一个实施例中，第二电容器耦合在第三MOS晶体管的漏极与第一电源导轨之间。

在一个实施例中，所述装置进一步包括耦合在第三MOS晶体管的源极与第二电源导轨之间的开关，其中所述开关由使能信号的反转控制。

在一个实施例中，第一MOS晶体管进一步包括NMOS晶体管，并且其中所述第二和第三晶体管进一步包括PMOS晶体管。

在一个实施例中，第一MOS晶体管进一步包括PMOS晶体管，并且其中所述第二和第三晶体管进一步包括NMOS晶体管。