[发明专利]体III族氮化物晶体的生长

权利要求书

1.使用由一种或更多种III族金属和一种或更多种碱金属组成的助熔剂生长III族氮化物晶体的方法，包括：

用由一种或更多种III族金属和一种或更多种碱金属组成的薄湿润层涂布种子的至少一个表面；和

通过使所述助熔剂接触所述种子或通过使所述种子接触所述助熔剂，在生长气氛中在所述种子上生长所述III族氮化物晶体，其中所述种子或助熔剂至少部分暴露于所述生长气氛。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述种子是III族氮化物晶体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述III族金属是Al、Ga或In的一种或多种，和所述碱金属是Na。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂布步骤间歇地或连续地进行。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂布步骤通过将所述助熔剂滴落在所述种子的一个或更多个表面上或在其上流动而进行。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂布步骤通过将所述种子淹没或浸入所述助熔剂中并且将所述种子的一个小面放置在所述助熔剂和所述气氛之间的界面的一些特定距离内而进行。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使所述种子、所述III族氮化物晶体或所述助熔剂经历机械运动，比如搅拌或搅动，以缩短氮与所述种子或所述III族氮化物晶体整合需要的距离。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长步骤进一步包括在所述III族氮化物晶体的生长期间在所述III族氮化物晶体上保持所述薄湿润层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述III族氮化物晶体具有一个或更多个暴露的极性、非极性或半极性小面。

10.III族氮化物晶体，其使用根据权利要求1所述的方法生长。

11.使用由一种或更多种III族金属和一种或更多种碱金属组成的助熔剂生长III族氮化物晶体的装置，包括：

用于涂布的工具，其使用由一种或更多种III族金属和一种或更多种碱金属组成的薄湿润层涂布种子的至少一个表面；和

用于生长的腔，其通过使所述助熔剂接触所述种子或通过使所述种子接触所述助熔剂，在生长气氛中在所述种子上生长所述III族氮化物晶体，其中所述种子或助熔剂至少部分暴露于所述生长气氛。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述种子是III族氮化物晶体。

13.根据权利要求11所述的装置，其中所述III族金属是Al、Ga或In的一种或多种，和所述碱金属是Na。

14.根据权利要求11所述的装置，其中所述用于涂布的工具间歇地或连续地进行。

15.根据权利要求11所述的装置，其中所述用于涂布的工具通过使所述助熔剂滴落在所述种子的一个或更多个表面上或在其上流动而进行。

16.根据权利要求11所述的装置，其中所述用于涂布的工具通过将所述种子淹没或浸入所述助熔剂中并且将所述种子的一个小面放置在所述助熔剂和所述气氛之间的界面的一些特定距离内而进行。

17.根据权利要求11所述的装置，进一步包括使所述种子、所述III族氮化物晶体或所述助熔剂经历机械运动比如搅拌或搅动的工具，以缩短氮与所述种子或所述III族氮化物晶体整合需要的距离。

18.根据权利要求11所述的装置，其中所述腔进一步包括在所述III族氮化物晶体的生长期间在所述III族氮化物晶体上保持所述薄湿润层的工具。

19.根据权利要求11所述的装置，其中III族氮化物晶体具有一个或更多个暴露的极性、非极性或半极性小面。