[发明专利]体III族氮化物晶体的生长

说明书

相关申请的交叉引用

本申请根据35U.S.C.119(e)章节要求下述共同未决和共同转让的申请的权益：

美国临时申请系列号61/507,182，于2011年7月13日由Siddha Pimputkar和James S.Speck提交，题目为“用III族金属和碱金属涂布体III族氮化物晶体之后它们的生长(GROWTH OF BULK GROUP-III NITRIDE CRYSTALS AFTER COATING THEM WITH A GROUP-III METAL AND AN ALKALI METAL)”，律师案卷号30794.420-US-P1(2012-021-1)；

该申请通过引用并入本文。

本申请涉及下列共同未决和共同转让的美国专利申请：

美国实用新型专利申请系列号13/128,092，于2011年5月6日，由Siddha Pimputkar、Derrick S.Kamber、James S.Speck和Shuji Nakamura提交的，题目为“III族氮化物晶体的氨热生长期间使用含硼化合物、气体和流体(USING BORON-CONTAINING COMPOUNDS,GASSES AND FLUIDS DURING AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP-III NITRIDE CRYSTALS)”，律师案卷号30794.300-US-WO(2009-288-2)，该申请是国家阶段申请，其要求P.C.T.国际专利申请系列号PCT/US09/063233的权益或优先权，后者于2009年11月4日，由Siddha Pimputkar、Derrick S.Kamber、James S.Speck和Shuji Nakamura提交，题目为“III族氮化物晶体的氨热生长期间使用含硼化合物、气体和流体(USING BORON-CONGTANIING COMPOUNDS,GASSES AND FLUIDS DURING AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP-III NITRIDE CRYSTAL)”，律师案卷号30794.300-WO-U1(2009-288-2)，该申请根据35U.S.C.119(e)章节要求美国临时专利申请系列号61/112,550的权益，后者于2008年11月7日，由Siddha Pimputkar、Derrick S.Kamber、James S.Speck和Shuji Nakamura提交，题目为“III族氮化物晶体的氨热生长期间使用含硼化合物、气体和流体(USING BORON-CONGTANIING COMPOUNDS,GASSES AND FLUIDS DURING AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP-III NITRIDE CRYSTALS)”，律师案卷号30794.300-US-P1(2009-288-1)；

美国实用新型专利申请系列号13/048,179，于2011年3月15日，由Siddha Pimputkar、James S.Speck和Shuji Nakamura提交，并且题目为“使用III族氮化物晶种的初始偏取向非极性或半极性生长表面的III族氮化物晶体氨热生长(GROUP-III NITRIDE CRYSTAL AMMONOTHERMALLY GROWN USING AN INITIALLY OFF-ORIENTED NONPOLAR OR SEMIPOLAR GROWTH SURFACE OF A GROUP-III NITRIDE SEED CRYSTAL)”，律师案卷号30794.376-US-U1(2010-585-1)，该申请根据35U.S.C.119(e)章节要求美国临时专利申请系列号61/314,095的权益，后者于2010年3月15日由Siddha Pimputkar、James S.Speck和Shuji Nakamura提交，并且题目为“使用初始偏取向的非极性和/或半极性III族氮化物生长的作为使用氨热法的籽晶的III族氮化物晶体和生产其的方法(GROUP-III NITRIDE CRYSTAL GROWN USING AN INITIALLY OFF-ORIENTED NONPOLAR AND/OR SEMIPOLAR GROUP-III NITRIDE AS SEED CRYSTAL USING THE AMMONOTHERMAL METHOD AND METHOD OF PRODUCING THE SAME)”，律师案卷号30794.376-US-P1(2010-585-1)；和