[发明专利]多腔室CVD处理系统无效
申请号: | 201280035420.2 | 申请日: | 2012-07-02 |
公开(公告)号: | CN103703544A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | A·帕兰杰佩;E·A·阿莫尔;W·E·奎恩 | 申请(专利权)人: | 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王初 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多腔室 cvd 处理 系统 | ||
1.一种多腔室CVD处理系统,包括:
a.多个基片载体,每个基片载体用于支承至少一个基片;
b.多个外壳,所述多个外壳中的每一个外壳构造成用以形成一个沉积腔室,该沉积腔室包围所述多个基片载体中的一个基片载体,以保持用来执行处理步骤的独立环境;以及
c.运输机构,所述运输机构按离散步骤将所述多个基片载体中的每一个基片载体运输到所述多个外壳中的每一个外壳,这允许在所述多个外壳中在预设定时间内执行处理步骤。
2.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,它还包括多个加热器,所述多个加热器中的每一个加热器与所述多个外壳中的每一个外壳相对应。
3.根据权利要求2所述的多腔室CVD系统,其中,当所述多个基片载体中的每一个基片载体由所述多个外壳包围时,所述多个加热器中的每一个加热器接近所述多个基片载体中的每一个基片载体。
4.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述多个外壳中的至少一个外壳包括物理外壳。
5.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述多个外壳中的至少一个外壳能够相对于所述多个基片载体中的至少一个基片载体而运动,以形成所述多个沉积腔室中的至少一个沉积腔室。
6.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述多个基片载体中的至少一个基片载体能够相对于所述多个外壳中的至少一个外壳而运动,以形成所述多个沉积腔室中的至少一个沉积腔室。
7.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述多个外壳中的至少一个外壳和所述多个基片载体中的相应一个基片载体都能够运动,以形成所述多个沉积腔室中的至少一个沉积腔室。
8.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述多个外壳中的至少一个外壳包括气体帘幕,该气体帘幕形成相应外壳的至少一个边界。
9.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述多个外壳中的至少一个外壳包括现场测量装置。
10.根据权利要求9所述的多腔室CVD系统,其中,所述现场测量装置选自高温计、反射计、偏转器、椭圆计、光致发光频谱仪、组合式高温计/反射计、组合式偏转器/反射计/温度工具、以及电致发光频谱仪。
11.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述运输机构还包括多个加热器,所述多个加热器中的每一个加热器接近所述多个基片载体中的每一个基片载体。
12.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述运输机构沿着导轨将所述多个基片载体中的每一个基片载体运输到所述多个外壳中的每一个外壳。
13.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述运输机构沿着轨道将所述多个基片载体中的每一个基片载体运输到所述多个外壳中的每一个外壳。
14.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述运输机构使用传送机将所述多个基片载体中的每一个基片载体运输到所述多个外壳中的每一个外壳。
15.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述运输机构在直线路径中将所述多个基片载体中的每一个基片载体运输到所述多个外壳中的每一个外壳。
16.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述运输机构在非直线路径中将所述多个基片载体中的每一个基片载体运输到所述多个外壳中的每一个外壳。
17.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述运输机构在圆形路径中将所述多个基片载体中的每一个基片载体运输到所述多个外壳中的每一个外壳。
18.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述运输机构在椭圆形路径中将所述多个基片载体中的每一个基片载体运输到所述多个外壳中的每一个外壳。
19.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述运输机构与自动基片搬运机构相联接,该自动基片搬运机构执行下列动作中的至少一种动作:将基片加载到所述多个基片载体上、以及从所述多个基片载体卸载基片。
20.根据权利要求1所述的多腔室CVD系统,其中,所述多个基片载体中的至少一个基片载体是可转动式基片载体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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