[发明专利]芯片堆叠

权利要求书

1.一种芯片堆叠以形成芯片组件的方法，所述方法包括：

将第一芯片附接于封装的基部；

形成将第一芯片的顶面上的第一焊盘电连接到封装的第一焊盘的第一丝焊；

在与被连接到第一芯片的第一焊盘的第一丝焊的一部分相对应的位置处在第二芯片的底面中形成第一沟槽；

将第二芯片附接于第一芯片，使得第二芯片中的第一沟槽在连接到第一芯片的第一焊盘的那部分第一丝焊上对准；以及

形成将第二芯片的顶面上的第二焊盘电连接到封装的第二焊盘的第二丝焊。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在第二芯片的底面中形成第一沟槽包括执行直接写入激光微加工。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在第二芯片的底面中形成第一沟槽包括使激光束聚焦于与第一沟槽的期望宽度相对应的光斑尺寸，并使激光束线性地进行套孔以沿着在第二芯片上与第一芯片的第一焊盘相对应的位置和第二芯片的边缘之间的路径切除第二芯片的底面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在第二芯片的底面中形成第一沟槽包括使用足够功率和适当波长的激光束来切除第二芯片的底面的材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一沟槽具有等于或大于要配合在其中的第一丝焊的接合楔或球的高度的深度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，与第二芯片中的第一沟槽在其上对准的第一芯片的第一焊盘连接的那部分第一丝焊包括第一芯片的第一焊盘上的接合楔或球和从该接合楔或球延伸的第一丝焊的丝的一部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，第一芯片的第一焊盘被置于远离第一芯片边缘的第一芯片中心区域上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，将第二芯片附接于第一芯片包括使用环氧树脂或毛细接合将第二芯片直接附接于第一芯片。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在与连接到第二芯片的第二焊盘的第二丝焊的一部分相对应的位置处在第三芯片的底面中形成第二沟槽；

将第三芯片附接于第二芯片，使得第三芯片中的第二沟槽在连接到第二芯片的第二焊盘的那部分第二丝焊上对准；以及

形成将第三芯片的顶面上的第三焊盘电连接到封装的第三焊盘的第三丝焊。

10.一种垂直堆叠芯片组件，包括：

基部上的第一芯片，所述第一芯片包括第一接合焊盘和被连接到第一接合焊盘和外部焊盘的第一丝焊；

第一芯片上的第二芯片，所述第二芯片的底面面对第一芯片的顶面且包括在第一芯片的第一丝焊上对准的第一沟槽，使得第一丝焊的接合楔或球配合在第一沟槽中，并且将第一丝焊的丝沿着第一沟槽的路径布置并在第二芯片的边缘处从第一沟槽延伸出来至外部焊盘。

11.根据权利要求10所述的垂直堆叠芯片组件，其中，所述第一芯片和所述第二芯片具有基本上相同的长度和宽度。

12.根据权利要求10所述的垂直堆叠组件，其中，用环氧树脂将第二芯片直接附接于第一芯片。

13.根据权利要求10所述的垂直堆叠组件，其中，第一芯片和第二芯片中的至少一个包括在其中形成的集成电路。

14.根据权利要求10所述的垂直堆叠组件，其中，所述第二芯片还包括第二接合焊盘和被连接至所述第二接合焊盘和第二外部焊盘的第二丝焊，所述组件还包括：

第二芯片上的第三芯片，所述第三芯片的底面面对第二芯片的顶面且包括在第二芯片的第二丝焊上对准的第二沟槽，使得第二丝焊的接合楔或球配合在第二沟槽中，并且将第二丝焊的丝沿着第二沟槽的路径布置并在第三芯片的边缘处从第二沟槽延伸出来至第二外部焊盘。

15.根据权利要求14所述的垂直堆叠芯片组件，其中，所述第一芯片的第一焊盘被第二芯片覆盖，并且第二芯片的第二焊盘被第三芯片覆盖。

16.根据权利要求14所述的垂直堆叠芯片组件，其中，第一芯片、第二芯片和第三芯片具有基本上相同的宽度和长度。

17.根据权利要求14所述的垂直堆叠芯片组件，其中，第一芯片是第一发光器件芯片，第二芯片是第二发光器件芯片，并且第三芯片是第三发光器件芯片。