[发明专利]紫外线发光二极管用多量子阱及其制造方法

权利要求书

1.一种紫外线发光二极管用多量子阱，其包括：

Al_x1Ga_1-x1N势垒部，其交替配置有AlN势垒原子层和所述AlN势垒原子层上的GaN势垒原子层；以及

Al_x2Ga_1-x2N量子阱部，其在所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部上形成并交替配置有AlN阱原子层和在所述AlN阱原子层上形成的GaN阱原子层，

其中，所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部的Al组成比（x1）为0至0.7，所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部的Al组成比（x2）为0至0.7，所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部的Al组成比（x1）大于所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部的Al组成比（x2），所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部与所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部交替层叠2次以上。

2.根据权利要求1所述的紫外线发光二极管用多量子阱，其中，

所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部的厚度为3至10nm。

3.根据权利要求1所述的紫外线发光二极管用多量子阱，其中，

所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部的位错（dislocation）密度为10⁴～10⁶ea/cm²。

4.根据权利要求1所述的紫外线发光二极管用多量子阱，其中，

所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部的厚度为1至3nm。

5.根据权利要求1所述的紫外线发光二极管用多量子阱，其中，

所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部的位错（dislocation）密度为10⁴～10⁶ea/cm²。

6.根据权利要求1所述的紫外线发光二极管用多量子阱，其中，

所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部的个数为2至10。

7.一种紫外线发光二极管用多量子阱的制造方法，其中，包括：

Al_x1Ga_1-x1N势垒部形成步骤，交替层叠AlN势垒原子层和所述AlN势垒原子层上的GaN势垒原子层，来形成Al_x1Ga_1-x1N势垒部；以及

Al_x2Ga_1-x2N量子阱部形成步骤，在所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部上交替地层叠AlN阱原子层和所述AlN阱原子层上的GaN阱原子层，来形成Al_x2Ga_1-x2N量子阱部，

其中，所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部的Al组成比（x1）形成为0至0.7，所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部的Al组成比（x2）形成为0至0.7，所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部的Al组成比（x1）形成得大于所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部的Al组成比（x2），所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部与所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部交替层叠2次以上。

8.根据权利要求7所述的紫外线发光二极管用多量子阱的制造方法，其中，

所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部的厚度形成为3至10nm。