[发明专利]紫外线发光二极管用多量子阱及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及紫外线发光二极管用多量子阱及其制造方法，更详细而言，涉及一种通过可实现低温沉积的原子层沉积法（Atomic Layer Deposition;ALD），交替形成高品质薄膜的势垒层与量子阱层，从而能够有效抑制位错（dislocation）的紫外线发光二极管用多量子阱及其制造方法。

背景技术

最近，GaN系发光二极管（Light Emitting Diode;LED）作为能够使节能实现最大化的新一代发光元件而倍受瞩目，这种GaN系发光二极管的发光区域从可见光线扩大到紫外线。

以往的具有多量子阱结构的发光二极管，利用有机金属化学气相沉积法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition;MOCVD）来制造多量子阱结构。

但是，当利用有机金属化学气相沉积法来制造具有多量子阱结构的发光二极管时，多量子阱在800℃以上的高温下沉积，因热膨胀系数差异而导致的位错（dislocation）广泛发生，具有这种多量子阱的发光二极管的发光效率非常低下。

发明内容

因此，本发明正是为了解决以往技术的问题而研发的，本发明要解决的技术课题是提供一种通过可实现低温沉积的原子层沉积法（Atomic Layer Deposition;ALD），交替形成高品质薄膜的势垒层与量子阱层，从而能够有效抑制位错（dislocation）的紫外线发光二极管用多量子阱。

另外，本发明要解决的另一技术课题是提供一种能够容易地制造所述紫外线发光二极管用多量子阱的紫外线发光二极管用多量子阱的制造方法。

本发明要解决的技术课题并非限定于以上提及的技术课题，对于未提及的其它技术课题，本发明所属技术领域的技术人员可以从以下的记载中明确地理解。

为达成如上所述的目的，本发明一个实施例的紫外线发光二极管用多量子阱包括：Al_x1Ga_1-x1N势垒部，其交替配置有AlN势垒原子层和所述AlN势垒原子层上的GaN势垒原子层；以及Al_x2Ga_1-x2N量子阱部，其在所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部上形成并交替配置有AlN阱原子层和在所述AlN阱原子层上形成的GaN阱原子层，其中，所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部的Al组成比（x1）为0至0.7，所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部的Al组成比（x2）为0至0.7，所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部的Al组成比（x1）大于所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部的Al组成比（x2），所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部与所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部交替层叠2次以上。

为达成如上所述目的，本发明的一个实施例的紫外线发光二极管用多量子阱的制造方法包括：Al_x1Ga_1-x1N势垒部形成步骤，交替层叠AlN势垒原子层和所述AlN势垒原子层上的GaN势垒原子层，来形成Al_x1Ga_1-x1N势垒部；以及Al_x2Ga_1-x2N量子阱部形成步骤，在所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部上交替地层叠AlN阱原子层和所述AlN阱原子层上的GaN阱原子层，来形成Al_x2Ga_1-x2N量子阱部，其中，所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部的Al组成比（x1）形成为0至0.7，所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部的Al组成比（x2）形成为0至0.7，所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部的Al组成比（x1）形成得大于所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部的Al组成比（x2），所述Al_x1Ga_1-x1N势垒部与所述Al_x2Ga_1-x2N量子阱部交替层叠2次以上。